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公开(公告)号：CN1391725A
公开(公告)日：2003-01-15
申请号：CN00811020.4
申请日：2000-11-29
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H03H3/10
CPC classification number: H04N5/367 , H04N5/232 , H04N5/357 , H04N5/3572 , H04N7/165 , H04N19/00 , H04N21/4143 , H04N21/482 , H04N21/84
Abstract: 一种在压电基板1上形成了包括由导体构成的交叉指状电极4、5的电极的弹性波装置，在上述交叉指状电极4、5及反射器9上淀积以氧化硅为主要成分的电介质薄膜，适当地设定该电介质薄膜的厚度。而且，通过适当地设定电介质薄膜的厚度，保护电极不受微细金属屑的影响，另外，能获得为了避免来自外部的影响而不需要气密地封装在外壳内的弹性波装置。
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公开(公告)号：CN1221074C
公开(公告)日：2005-09-28
申请号：CN00802585.1
申请日：2000-10-18
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H03H9/02559
Abstract: 把围绕钽酸锂的晶体X轴以离开晶体Y轴34°到41°范围旋转的面作为基板表面，以弹性表面波的波长λ规范化叉指电极中的至少一部分电极指的厚度h得到的规范化电极厚(h/λ)为0.01以上0.05以下，通过电极指宽度w和排列周期p确定的电极指的占空比(w/p)为0.6以上1.0以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1183668C
公开(公告)日：2005-01-05
申请号：CN00801252.0
申请日：2000-07-05
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H03H9/02559 , H03H9/14538 , H03H9/25 , H03H9/643
Abstract: 一种弹性波装置，在以铌酸锂为主要成分的压电体的基板上形成由具有规定厚度的导体构成的梳状电极，以从Y晶轴绕上述铌酸锂的X晶轴转动55°到57°的范围的面为上述基板表面；电极指的占空比(电极指宽w/电极指的排列周期p)大于0.4而小于1.0。
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公开(公告)号：CN1336036A
公开(公告)日：2002-02-13
申请号：CN00802585.1
申请日：2000-10-18
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H03H9/02559
Abstract: 把围绕钽酸锂的晶体X轴以离开晶体Y轴34°到41°范围旋转的面作为基板表面,以弹性表面波的波长λ规范化叉指电极中的至少一部分电极指的厚度h得到的规范化电极厚(h/λ)为0.01以上0.05以下,通过电极指宽度w和排列周期p确定的电极指的占空比(w/p)为0.6以上1.0以下。
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公开(公告)号：CN1166012C
公开(公告)日：2004-09-08
申请号：CN00802675.0
申请日：2000-05-09
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L41/08
CPC classification number: H03H9/174 , H03H3/04 , H03H9/02133 , H03H9/02157 , H03H9/176 , H03H2003/0428
Abstract: 一种薄膜压电元件，包括：硅衬底1；由硅衬底1上形成的氮化硅膜16和在氮化硅膜16的上侧形成的氧化硅膜2组成的介质膜21；在介质膜21上形成的下部电极3；在下部电极3上形成的压电体膜17；以及在压电体膜17上形成的上部电极5；其中，通过从硅衬底1的底面至氮化硅膜16的边界面除去与包括上部电极5存在部位的区域相对的硅衬底1部位的厚度方向部分来形成通孔6。
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公开(公告)号：CN1316131A
公开(公告)日：2001-10-03
申请号：CN00801252.0
申请日：2000-07-05
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H03H9/02559 , H03H9/14538 , H03H9/25 , H03H9/643
Abstract: 一种弹性波装置,在以铌酸锂为主要成分的压电体的基板上形成由具有规定厚度的导体构成的指状电极,以从Y晶轴绕上述铌酸锂的X晶轴转动55°到57°的范围的面为上述基板表面;电极指的占空比(电极指宽w/电极指的排列周期p)大于0.4而小于1.0。
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公开(公告)号：CN1337070A
公开(公告)日：2002-02-20
申请号：CN00802675.0
申请日：2000-05-09
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L41/08
CPC classification number: H03H9/174 , H03H3/04 , H03H9/02133 , H03H9/02157 , H03H9/176 , H03H2003/0428
Abstract: 一种薄膜压电元件,包括:硅衬底1;由硅衬底1上形成的氮化硅膜16和在氮化硅膜16的上侧形成的氧化硅膜2组成的介质膜21;在介质膜21上形成的下部电极3;在下部电极3上形成的压电体膜17;以及在压电体膜17上形成的上部电极5;其中,通过从硅衬底1的底面至氮化硅膜16的边界面除去与包括上部电极5存在部位的区域相对的硅衬底1部位的厚度方向部分来形成通孔6。
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