公开(公告)号：CN1166012C

公开(公告)日：2004-09-08

申请号：CN00802675.0

申请日：2000-05-09

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 三须幸一郎 ,  吉田宪司 ,  井幡光词 ,  和高修三 ,  永塚勉 ,  内川英兴 ,  山田朗 ,  前田智佐子

IPC: H01L41/08

CPC classification number: H03H9/174 ,  H03H3/04 ,  H03H9/02133 ,  H03H9/02157 ,  H03H9/176 ,  H03H2003/0428

Abstract: 一种薄膜压电元件，包括：硅衬底1；由硅衬底1上形成的氮化硅膜16和在氮化硅膜16的上侧形成的氧化硅膜2组成的介质膜21；在介质膜21上形成的下部电极3；在下部电极3上形成的压电体膜17；以及在压电体膜17上形成的上部电极5；其中，通过从硅衬底1的底面至氮化硅膜16的边界面除去与包括上部电极5存在部位的区域相对的硅衬底1部位的厚度方向部分来形成通孔6。

公开(公告)号：CN1337070A

公开(公告)日：2002-02-20

申请号：CN00802675.0

申请日：2000-05-09

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 三须幸一郎 ,  吉田宪司 ,  井幡光词 ,  和高修三 ,  永塚勉 ,  内川英兴 ,  山田朗 ,  前田智佐子

IPC: H01L41/08

CPC classification number: H03H9/174 ,  H03H3/04 ,  H03H9/02133 ,  H03H9/02157 ,  H03H9/176 ,  H03H2003/0428

Abstract: 一种薄膜压电元件,包括:硅衬底1;由硅衬底1上形成的氮化硅膜16和在氮化硅膜16的上侧形成的氧化硅膜2组成的介质膜21;在介质膜21上形成的下部电极3;在下部电极3上形成的压电体膜17;以及在压电体膜17上形成的上部电极5;其中,通过从硅衬底1的底面至氮化硅膜16的边界面除去与包括上部电极5存在部位的区域相对的硅衬底1部位的厚度方向部分来形成通孔6。