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公开(公告)号：CN1391725A
公开(公告)日：2003-01-15
申请号：CN00811020.4
申请日：2000-11-29
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H03H3/10
CPC classification number: H04N5/367 , H04N5/232 , H04N5/357 , H04N5/3572 , H04N7/165 , H04N19/00 , H04N21/4143 , H04N21/482 , H04N21/84
Abstract: 一种在压电基板1上形成了包括由导体构成的交叉指状电极4、5的电极的弹性波装置，在上述交叉指状电极4、5及反射器9上淀积以氧化硅为主要成分的电介质薄膜，适当地设定该电介质薄膜的厚度。而且，通过适当地设定电介质薄膜的厚度，保护电极不受微细金属屑的影响，另外，能获得为了避免来自外部的影响而不需要气密地封装在外壳内的弹性波装置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104583430A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201280074912.2
申请日：2012-07-26
Applicant: 三菱电机株式会社 , 三菱电机美泰斯股份有限公司
Abstract: 本发明的铜合金为轧制成板状的铜合金。含有8.5～9.5质量％的Ni、5.5～6.5质量％的Sn，余量为Cu和不可避免的杂质。在相对于轧制方向垂直的剖面中的平均结晶粒径小于6μm。晶粒的板宽方向的平均长度x与板厚方向的平均长度y的比x/y满足1≤x/y≤2.5。就相对于铜合金的轧制方向平行的板面中的X射线衍射强度比而言，当使(220)面的X射线衍射强度归一化为1时，(200)面的强度比为0.30以下、(111)面的强度比为0.45以下、(311)面的强度比为0.60以下。(111)面的强度比比(200)面的强度比大、比(311)面的强度比小。
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公开(公告)号：CN1130013C
公开(公告)日：2003-12-03
申请号：CN95119782.7
申请日：1995-11-24
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H03H9/174 , H03B5/326 , H03F3/195 , H03H9/02228 , H03H9/0542 , H03H9/173 , H03H9/176 , H03H2003/0464
Abstract: 借助于同半导体电路一起制作一个具有宽的带宽的滤波器或一个具有宽的振荡频率范围的谐振器，本发明的实施例提供了一种小而特性良好的体声波器件。在本发明的实施例中，体声波器件包含一个其上带有介电物质层的半导体衬底，介电物质层上有一个接地导体层，接地导体层上有一个压电陶瓷薄膜，而压电陶瓷薄膜上有一个导电电极图形。压电陶瓷薄膜的厚度为接地导体层厚度的10倍以上，且沿平行于压电陶瓷薄膜表面的方向传播的声波的波数同压电陶瓷薄膜厚度的乘积小于2。
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公开(公告)号：CN1166012C
公开(公告)日：2004-09-08
申请号：CN00802675.0
申请日：2000-05-09
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L41/08
CPC classification number: H03H9/174 , H03H3/04 , H03H9/02133 , H03H9/02157 , H03H9/176 , H03H2003/0428
Abstract: 一种薄膜压电元件，包括：硅衬底1；由硅衬底1上形成的氮化硅膜16和在氮化硅膜16的上侧形成的氧化硅膜2组成的介质膜21；在介质膜21上形成的下部电极3；在下部电极3上形成的压电体膜17；以及在压电体膜17上形成的上部电极5；其中，通过从硅衬底1的底面至氮化硅膜16的边界面除去与包括上部电极5存在部位的区域相对的硅衬底1部位的厚度方向部分来形成通孔6。
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公开(公告)号：CN1131844A
公开(公告)日：1996-09-25
申请号：CN95119782.7
申请日：1995-11-24
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H03H9/174 , H03B5/326 , H03F3/195 , H03H9/02228 , H03H9/0542 , H03H9/173 , H03H9/176 , H03H2003/0464
Abstract: 借助于同半导体电路一起制作一个具有宽的带宽的滤波器或一个具有宽的振荡频率范围的谐振器，本发明的实施例提供了一种小而特性良好的体声波器件。在本发明的实施例中，体声波器件包含一个其上带有介电物质层的半导体衬底，介电物质层上有一个接地导体层，接地导体层上有一个压电陶瓷薄膜，而压电陶瓷薄膜上有一个导电电极图形。压电陶瓷薄膜的厚度为接地导体层厚度的10倍以上，且沿平行于压电陶瓷薄膜表面的方向传播的声波的波数同压电陶瓷薄膜厚度的乘积小于2。
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公开(公告)号：CN1337070A
公开(公告)日：2002-02-20
申请号：CN00802675.0
申请日：2000-05-09
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L41/08
CPC classification number: H03H9/174 , H03H3/04 , H03H9/02133 , H03H9/02157 , H03H9/176 , H03H2003/0428
Abstract: 一种薄膜压电元件,包括:硅衬底1;由硅衬底1上形成的氮化硅膜16和在氮化硅膜16的上侧形成的氧化硅膜2组成的介质膜21;在介质膜21上形成的下部电极3;在下部电极3上形成的压电体膜17;以及在压电体膜17上形成的上部电极5;其中,通过从硅衬底1的底面至氮化硅膜16的边界面除去与包括上部电极5存在部位的区域相对的硅衬底1部位的厚度方向部分来形成通孔6。
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