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公开(公告)号：CN1282764C
公开(公告)日：2006-11-01
申请号：CN200310102823.7
申请日：2000-08-31
Applicant: 三菱住友硅晶株式会社 , 日本酸素株式会社
IPC: C23C16/00
CPC classification number: C23C16/4408 , C23C16/4401 , C23C16/52
Abstract: 为了能高效率地进行保养后的净化处理，同时能可靠地知道净化处理的结束，缩短净化处理所需要的时间，进行CVD装置的恢复，在保养后的加热流通净化处理时，把混合了热传导系数高的气体和惰性气体的气体作为净化气体来使用。在半导体膜形成前的净化处理中，多次重复进行抽真空和惰性气体的导入。此外，为了判断在反应室内进行腐蚀性气体处理的半导体制造装置的适当保养时期，按照重复进行腐蚀性气体处理时的水分浓度的变化来决定所述腐蚀性气体的保养时期。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1497061A
公开(公告)日：2004-05-19
申请号：CN200310102823.7
申请日：2000-08-31
Applicant: 三菱住友硅晶株式会社 , 日本酸素株式会社
IPC: C23C16/00
CPC classification number: C23C16/4408 , C23C16/4401 , C23C16/52
Abstract: 为了能高效率地进行保养后的净化处理，同时能可靠地知道净化处理的结束，缩短净化处理所需要的时间，进行CVD装置的恢复，在保养后的加热流通净化处理时，把混合了热传导系数高的气体和惰性气体的气体作为净化气体来使用。在半导体膜形成前的净化处理中，多次重复进行抽真空和惰性气体的导入。此外，为了判断在反应室内进行腐蚀性气体处理的半导体制造装置的适当保养时期，按照重复进行腐蚀性气体处理时的水分浓度的变化来决定所述腐蚀性气体的保养时期。
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公开(公告)号：CN1312585A
公开(公告)日：2001-09-12
申请号：CN01116233.3
申请日：2001-02-28
Applicant: 三菱麻铁里亚尔硅材料株式会社 , 日本酸素株式会社
IPC: H01L21/205 , H01L21/66 , G01N21/00
CPC classification number: C23C16/4408 , C23C16/4401 , C23C16/52 , C23C16/54 , C30B25/14 , C30B25/165 , H01L21/67242 , Y10S438/906 , Y10S438/908
Abstract: 提供一种可以正确调整工艺时的条件,高精度进行选择外延生长等的反应性气体处理的半导体制造方法。并且,提供一种可以抑制水分浓度的增加,防止重金属污染,同时能够检测反应室内水分浓度与外部区域之间相关的半导体制造方法和半导体制造装置。在设置衬底的状态下测量反应室1内或该反应室的气体排放系统内的水分浓度,根据该水分浓度调整反应性气体处理的条件。并且,在用连接于衬底运送系统2、3内密闭空间的第1水分计6测量上述密闭空间的水分浓度后,用上述衬底运送系统进行送入或取出衬底W的衬底运送工序,及在该衬底运送工序后,用连接于反应室1的第2水分计一边测量反应室内的水分浓度一边进行反应性气体处理的处理工序。
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公开(公告)号：CN1289860A
公开(公告)日：2001-04-04
申请号：CN00131310.X
申请日：2000-08-31
Applicant: 三菱麻铁里亚尔硅材料株式会社 , 日本酸素株式会社
IPC: C23C16/00 , C30B25/02 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/4408 , C23C16/4401 , C23C16/52
Abstract: 为了能高效率地进行保养后的净化处理,同时能可靠地知道净化处理的结束,缩短净化处理所需要的时间,进行CVD装置的恢复,在保养后的加热流通净化处理时,把混合了热传导系数高的气体和惰性气体的气体作为净化气体来使用。在半导体膜形成前的净化处理中,多次重复进行抽真空和惰性气体的导入。此外,为了判断在反应室内进行腐蚀性气体处理的半导体制造装置的适当保养时期,按照重复进行腐蚀性气体处理时的水分浓度的变化来决定所述腐蚀性气体的保养时期。
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公开(公告)号：CN1183578C
公开(公告)日：2005-01-05
申请号：CN01116233.3
申请日：2001-02-28
Applicant: 三菱麻铁里亚尔硅材料株式会社 , 日本酸素株式会社
IPC: H01L21/205 , H01L21/66 , G01N21/00
CPC classification number: C23C16/4408 , C23C16/4401 , C23C16/52 , C23C16/54 , C30B25/14 , C30B25/165 , H01L21/67242 , Y10S438/906 , Y10S438/908
Abstract: 提供一种可以正确调整工艺时的条件，高精度进行选择外延生长等的反应性气体处理的半导体制造方法。并且，提供一种可以抑制水分浓度的增加，防止重金属污染，同时能够检测反应室内水分浓度与外部区域之间相关的半导体制造方法和半导体制造装置。在设置衬底的状态下测量反应室(1)内或所述反应室的气体排放系统内的水分浓度，根据所述水分浓度调整反应性气体处理的条件。并且，在用连接于衬底运送系统(2、3)内密闭空间的第1水分计(6)测量所述密闭空间的水分浓度后，用所述衬底运送系统进行送入或取出衬底W的衬底运送工序，及在所述衬底运送工序后，用连接于反应室(1)的第2水分计一边测量反应室内的水分浓度一边进行反应性气体处理的处理工序。
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公开(公告)号：CN1131891C
公开(公告)日：2003-12-24
申请号：CN00131310.X
申请日：2000-08-31
Applicant: 三菱麻铁里亚尔硅材料株式会社 , 日本酸素株式会社
IPC: C23C16/00 , C30B25/02 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/4408 , C23C16/4401 , C23C16/52
Abstract: 为了能高效率地进行保养后的净化处理，同时能可靠地知道净化处理的结束，缩短净化处理所需要的时间，进行CVD装置的恢复，在保养后的加热流通净化处理时，把混合了热传导系数高的气体和惰性气体的气体作为净化气体来使用。在半导体膜形成前的净化处理中，多次重复进行抽真空和惰性气体的导入。此外，为了判断在反应室内进行腐蚀性气体处理的半导体制造装置的适当保养时期，按照重复进行腐蚀性气体处理时的水分浓度的变化来决定所述腐蚀性气体的保养时期。
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