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公开(公告)号：CN1282764C
公开(公告)日：2006-11-01
申请号：CN200310102823.7
申请日：2000-08-31
Applicant: 三菱住友硅晶株式会社 , 日本酸素株式会社
IPC: C23C16/00
CPC classification number: C23C16/4408 , C23C16/4401 , C23C16/52
Abstract: 为了能高效率地进行保养后的净化处理，同时能可靠地知道净化处理的结束，缩短净化处理所需要的时间，进行CVD装置的恢复，在保养后的加热流通净化处理时，把混合了热传导系数高的气体和惰性气体的气体作为净化气体来使用。在半导体膜形成前的净化处理中，多次重复进行抽真空和惰性气体的导入。此外，为了判断在反应室内进行腐蚀性气体处理的半导体制造装置的适当保养时期，按照重复进行腐蚀性气体处理时的水分浓度的变化来决定所述腐蚀性气体的保养时期。
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公开(公告)号：CN1497061A
公开(公告)日：2004-05-19
申请号：CN200310102823.7
申请日：2000-08-31
Applicant: 三菱住友硅晶株式会社 , 日本酸素株式会社
IPC: C23C16/00
CPC classification number: C23C16/4408 , C23C16/4401 , C23C16/52
Abstract: 为了能高效率地进行保养后的净化处理，同时能可靠地知道净化处理的结束，缩短净化处理所需要的时间，进行CVD装置的恢复，在保养后的加热流通净化处理时，把混合了热传导系数高的气体和惰性气体的气体作为净化气体来使用。在半导体膜形成前的净化处理中，多次重复进行抽真空和惰性气体的导入。此外，为了判断在反应室内进行腐蚀性气体处理的半导体制造装置的适当保养时期，按照重复进行腐蚀性气体处理时的水分浓度的变化来决定所述腐蚀性气体的保养时期。
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公开(公告)号：CN1131891C
公开(公告)日：2003-12-24
申请号：CN00131310.X
申请日：2000-08-31
Applicant: 三菱麻铁里亚尔硅材料株式会社 , 日本酸素株式会社
IPC: C23C16/00 , C30B25/02 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/4408 , C23C16/4401 , C23C16/52
Abstract: 为了能高效率地进行保养后的净化处理，同时能可靠地知道净化处理的结束，缩短净化处理所需要的时间，进行CVD装置的恢复，在保养后的加热流通净化处理时，把混合了热传导系数高的气体和惰性气体的气体作为净化气体来使用。在半导体膜形成前的净化处理中，多次重复进行抽真空和惰性气体的导入。此外，为了判断在反应室内进行腐蚀性气体处理的半导体制造装置的适当保养时期，按照重复进行腐蚀性气体处理时的水分浓度的变化来决定所述腐蚀性气体的保养时期。
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公开(公告)号：CN1289860A
公开(公告)日：2001-04-04
申请号：CN00131310.X
申请日：2000-08-31
Applicant: 三菱麻铁里亚尔硅材料株式会社 , 日本酸素株式会社
IPC: C23C16/00 , C30B25/02 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/4408 , C23C16/4401 , C23C16/52
Abstract: 为了能高效率地进行保养后的净化处理,同时能可靠地知道净化处理的结束,缩短净化处理所需要的时间,进行CVD装置的恢复,在保养后的加热流通净化处理时,把混合了热传导系数高的气体和惰性气体的气体作为净化气体来使用。在半导体膜形成前的净化处理中,多次重复进行抽真空和惰性气体的导入。此外,为了判断在反应室内进行腐蚀性气体处理的半导体制造装置的适当保养时期,按照重复进行腐蚀性气体处理时的水分浓度的变化来决定所述腐蚀性气体的保养时期。
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