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公开(公告)号：CN118043171A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202280065425.3
申请日：2022-09-29
Applicant: 三樱工业株式会社 , 国立大学法人长冈技术科学大学 , 株式会社海特诺斯
IPC: B24B37/005 , B24B37/10 , B24B37/30 , H01L21/304
Abstract: 本发明的研磨装置(10)具备：晶圆保持部(31)，保持晶圆(W)，并使所保持的晶圆(W)与研磨面(22a)接触；平台驱动部(24)或头驱动部(34)，在研磨晶圆(W)时，使晶圆保持部(31)相对于被供给浆料(SL)的研磨面(22a)相对旋转；研磨压力赋予部(32)，经由晶圆保持部(31)将晶圆(W)按压于研磨面(22a)，由此向晶圆(W)赋予研磨压力；以及控制部(50)，在晶圆(W)的研磨中，将经由研磨压力赋予部(32)赋予给晶圆(W)的研磨压力的状态在高压状态与研磨压力低于该高压状态的低压状态之间周期性地切换。
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公开(公告)号：CN116490321A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202180076362.7
申请日：2021-09-15
Applicant: 国立大学法人长冈技术科学大学 , 三樱工业株式会社
IPC: B24B37/005
Abstract: 提供一种能够通过在基板的研磨初始阶段客观地掌握基板的表面状态并在短时间内估计出研磨条件来对研磨的高效率化作出贡献的研磨状态解析预测程序、存储装置、阴极荧光装置以及研磨状态解析预测方法。研磨状态解析预测程序基于通过阴极荧光法得到的作为研磨对象的基板的阴极荧光图像，来预测将来的基板的研磨状态。使计算机执行以下步骤：在开始基板的研磨后根据每隔规定时间的阴极荧光图像来获取平均发光强度数据或平均亮度数据；以及标记平均发光强度数据或平均亮度数据，使用规定的函数来导出表示标记的拟合曲线的式子。
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公开(公告)号：CN117545590A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202280043879.0
申请日：2022-08-18
Applicant: 三樱工业株式会社 , 国立大学法人长冈技术科学大学
IPC: B24B7/00
Abstract: 提供能在短时间内进行GaN基板的表面加工的GaN基板的表面加工方法和GaN基板的制造方法。GaN基板的表面加工方法为通过磨削和研磨进行GaN基板的表面加工的GaN基板的表面加工方法。其具备如下工序：高编号磨削工序，用编号为#6000以上的磨削磨石，对GaN基板的表面进行磨削；和，CMP研磨工序，通过高编号磨削工序对GaN基板的表面进行磨削后，利用CMP对GaN基板的表面进行研磨。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115116817A
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202210263158.2
申请日：2022-03-17
Applicant: 国立大学法人长冈技术科学大学 , 土肥俊郎 , 不二越机械工业株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供工件加工装置，能够对使用难加工材料形成的工件实现高加工速率，在短时间内稳定地进行加工。本发明的工件加工装置(1)是使加工头(14)与保持于保持板(20)的上表面的工件(W)滑动接触而进行加工的工件加工装置，其中，加工头(14)具有产生等离子体而将等离子体照射到工件(W)的被加工面的等离子体电极(30)，等离子体电极(30)的设置于径向中心的环状或圆柱状的中心电极(31)和相对于中心电极(31)设置于径向外侧的环状的外周电极(32)在边界位置隔着环状的缝部(36)而配设，并且缝部(36)构成为等离子体产生空间，在中心电极(31)和外周电极(32)的底面设置有加工垫(40)。
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公开(公告)号：CN114381802B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202111232202.5
申请日：2021-10-22
Applicant: 国立大学法人长冈技术科学大学 , 泽边厚仁 , 木村丰 , 学校法人早稻田大学 , 株式会社迪思科
Abstract: 本发明涉及金刚石形成用结构体、及金刚石形成用结构体的制造方法。提供用于形成高品质的单晶金刚石的金刚石形成用结构体、及该结构体的制造方法。金刚石形成用结构体(10)由基底基板(11)和在基底基板(11)上形成的Ir薄膜(12)构成。基底基板(11)的热膨胀系数为金刚石的热膨胀系数的5倍以下，并且基底基板(11)的熔点为700℃以上。Ir薄膜(12)的X射线衍射图案中的峰的角度与基底基板(11)的X射线衍射图案中的峰的角度不同。
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公开(公告)号：CN117751208A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202280047714.0
申请日：2022-06-30
Applicant: 株式会社迪思科 , 国立大学法人长冈技术科学大学 , 泽边厚仁 , 木村丰
Abstract: 金刚石成膜方法包括：基底层形成工序，通过利用了包含铱的第一原料气体的CVD法形成基底层(22)；以及金刚石层形成工序，通过利用了包含烃气体的第二原料气体的CVD法在基底层(22)上形成单晶的金刚石层(23)。
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公开(公告)号：CN117751208B
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202280047714.0
申请日：2022-06-30
Applicant: 株式会社迪思科 , 国立大学法人长冈技术科学大学 , 泽边厚仁 , 木村丰
Abstract: 金刚石成膜方法包括：基底层形成工序，通过利用了包含铱的第一原料气体的CVD法形成基底层(22)；以及金刚石层形成工序，通过利用了包含烃气体的第二原料气体的CVD法在基底层(22)上形成单晶的金刚石层(23)。
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公开(公告)号：CN114381802A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202111232202.5
申请日：2021-10-22
Applicant: 国立大学法人长冈技术科学大学 , 泽边厚仁 , 木村丰 , 学校法人早稻田大学 , 株式会社迪思科
Abstract: 本发明涉及金刚石形成用结构体、及金刚石形成用结构体的制造方法。提供用于形成高品质的单晶金刚石的金刚石形成用结构体、及该结构体的制造方法。金刚石形成用结构体(10)由基底基板(11)和在基底基板(11)上形成的Ir薄膜(12)构成。基底基板(11)的热膨胀系数为金刚石的热膨胀系数的5倍以下，并且基底基板(11)的熔点为700℃以上。Ir薄膜(12)的X射线衍射图案中的峰的角度与基底基板(11)的X射线衍射图案中的峰的角度不同。
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