公开(公告)号：CN118043171A

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202280065425.3

申请日：2022-09-29

Applicant: 三樱工业株式会社 ,  国立大学法人长冈技术科学大学 ,  株式会社海特诺斯

Inventor： 会田英雄 ,  片仓春治 ,  大宫奈津子 ,  小堀康之

IPC: B24B37/005 ,  B24B37/10 ,  B24B37/30 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明的研磨装置(10)具备：晶圆保持部(31)，保持晶圆(W)，并使所保持的晶圆(W)与研磨面(22a)接触；平台驱动部(24)或头驱动部(34)，在研磨晶圆(W)时，使晶圆保持部(31)相对于被供给浆料(SL)的研磨面(22a)相对旋转；研磨压力赋予部(32)，经由晶圆保持部(31)将晶圆(W)按压于研磨面(22a)，由此向晶圆(W)赋予研磨压力；以及控制部(50)，在晶圆(W)的研磨中，将经由研磨压力赋予部(32)赋予给晶圆(W)的研磨压力的状态在高压状态与研磨压力低于该高压状态的低压状态之间周期性地切换。

公开(公告)号：CN117545590A

公开(公告)日：2024-02-09

申请号：CN202280043879.0

申请日：2022-08-18

Applicant: 三樱工业株式会社 ,  国立大学法人长冈技术科学大学

Inventor： 大宫奈津子 ,  会田英雄 ,  片仓春治

IPC: B24B7/00

Abstract: 提供能在短时间内进行GaN基板的表面加工的GaN基板的表面加工方法和GaN基板的制造方法。GaN基板的表面加工方法为通过磨削和研磨进行GaN基板的表面加工的GaN基板的表面加工方法。其具备如下工序：高编号磨削工序，用编号为#6000以上的磨削磨石，对GaN基板的表面进行磨削；和，CMP研磨工序，通过高编号磨削工序对GaN基板的表面进行磨削后，利用CMP对GaN基板的表面进行研磨。