公开(公告)号：CN100485912C

公开(公告)日：2009-05-06

申请号：CN200510081826.6

申请日：2005-06-30

Applicant: 三星TECHWIN株式会社

Inventor： 张昌洙 ,  柳在喆 ,  元栋观

IPC: H01L23/12 ,  H01L23/498

CPC classification number: H01L23/49838 ,  H01L23/13 ,  H01L23/145 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/4824 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01087 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/19041 ,  H05K1/0271 ,  H05K3/0052 ,  H05K3/28 ,  H05K2201/068 ,  H05K2201/09781 ,  H05K2203/1572 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 提供了一种半导体封装件的母衬底，借助于切割成小片，此母衬底能够提供用来生产半导体器件的多个单元衬底。此母衬底包括绝缘层；形成在绝缘层第一和第二表面上的导体图形；以及分别形成在绝缘层第一和第二表面上且覆盖导体图形的PSR(光焊料防护剂)层。此母衬底包括被通过绝缘层中心线的参考表面分割的上部和下部。当上部的等效热膨胀系数αupper由方程见式(1)定义时，其中，αi是构成上部的第一到第n组成部分(例如上部的绝缘层、导体图形、以及PSR层)的各自的热膨胀系数，Ei是其各自的弹性模量，而vi是其各自的体积比率，且下部的等效热膨胀系数αlower由方程见式(2)定义时，其中，αj是构成下部的第一到第m组成部分(例如下部的绝缘层、导体图形、以及PSR层)的各自的热膨胀系数，Ej是其各自的弹性模量，而vj是其各自的体积比率，αupper对αlower的等效热膨胀系数比率(αupper/αlower)被选择为处于0.975-1.165的范围内。

公开(公告)号：CN1738030A

公开(公告)日：2006-02-22

申请号：CN200510081826.6

申请日：2005-06-30

Applicant: 三星TECHWIN株式会社

Inventor： 张昌洙 ,  柳在喆 ,  元栋观

IPC: H01L23/12 ,  H01L23/498

CPC classification number: H01L23/49838 ,  H01L23/13 ,  H01L23/145 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/4824 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01087 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/19041 ,  H05K1/0271 ,  H05K3/0052 ,  H05K3/28 ,  H05K2201/068 ,  H05K2201/09781 ,  H05K2203/1572 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 提供了一种半导体封装件的母衬底，借助于切割成小片，此母衬底能够提供用来生产半导体器件的多个单元衬底。此母衬底包括绝缘层；形成在绝缘层第一和第二表面上的导体图形；以及分别形成在绝缘层第一和第二表面上且覆盖导体图形的PSR(光焊料防护剂)层。此母衬底包括被通过绝缘层中心线的参考表面分割的上部和下部。当上部的等效热膨胀系数αupper由方程（式Ⅰ）定义时，其中，αi是构成上部的第一到第n组成部分(例如上部的绝缘层、导体图形、以及PSR层)的各自的热膨胀系数，Ei是其各自的弹性模量，而vi是其各自的体积比率，且下部的等效热膨胀系数αlower由方程（式Ⅱ）定义时，其中，αj是构成下部的第一到第m组成部分(例如下部的绝缘层、导体图形、以及PSR层)的各自的热膨胀系数，Ej是其各自的弹性模量，而vj是其各自的体积比率，αupper对αlower的等效热膨胀系数比率(αupper/αlower)被选择为处于0.975－1.165的范围内。