公开(公告)号：CN103094364A

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201210379654.0

申请日：2012-10-09

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 宋南圭 ,  吴旼锡 ,  李允锡 ,  李草英

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/20

CPC classification number: H01L31/1804 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/18 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种光伏装置及其制造方法。光伏装置包括：半导体基底；非晶的第一导电半导体层，在半导体基底的第一表面的第一区域上并且包含第一杂质；非晶的第二导电半导体层，在半导体基底的第一表面的第二区域上并且包含第二杂质；以及间隙钝化层，在半导体基底上位于第一区域和第二区域之间，其中，第一导电半导体层还在间隙钝化层上。

公开(公告)号：CN102629636A

公开(公告)日：2012-08-08

申请号：CN201110451007.1

申请日：2011-12-21

Applicant: 三星SDI株式会社 ,  三星电子株式会社

Inventor： 吴旼锡 ,  朴敏 ,  李允锡 ,  宋南圭 ,  李草英 ,  全勋夏 ,  张然翼

IPC: H01L31/077 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0376 ,  H01L31/20

CPC classification number: H01L31/202 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种太阳能电池及其制造方法。该太阳能电池包括基底、半导体层、第一掺杂图案和第二掺杂图案。基底具有适合于接收太阳光的第一表面和背对第一表面的第二表面。半导体层包括形成在基底的第二表面的第一区域上的绝缘图案以及形成在基底的第二表面的其上不形成绝缘图案的第二区域上的半导体图案。第一掺杂图案和第二掺杂图案形成在半导体图案中或形成在半导体图案上。

公开(公告)号：CN103546095A

公开(公告)日：2014-01-29

申请号：CN201310292116.2

申请日：2013-07-12

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 宋南圭 ,  金钟焕 ,  朴镕希 ,  郑濬赫

IPC: H02S40/00

CPC classification number: H01L31/05 ,  F16B5/0052 ,  F24S25/67 ,  F24S2025/6007 ,  H01L31/02 ,  H01L31/042 ,  Y02E10/47 ,  Y02E10/50 ,  Y10T403/553

Abstract: 一种太阳能电池阵列包括多个太阳能电池模块，所述多个太阳能电池模块中的每个包括：框架，具有沿第一方向延伸的第一侧面；第一插入孔，形成在第一侧面中并沿第一方向延伸。太阳能电池阵列还包括沿垂直于第一方向的第二方向延伸、用于连接太阳能电池模块中的两个相邻的太阳能电池模块的连接结构，并且连接结构包括分别容纳在所述两个相邻的太阳能电池模块的第一插入孔中的第一结合部分和第二结合部分，第一插入孔中的每个具有引导部分和插入部分，引导部分从插入部分弯曲以将第一结合部分和第二结合部分引导至各自的引导部分。