公开(公告)号：CN104810329A

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201410373343.2

申请日：2014-07-31

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 金承壕 ,  郑泰成 ,  张珉硕

IPC: H01L23/31 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L23/315 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/1815 ,  Y10T29/49117 ,  Y10T29/49169 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 于此公开一种传感器封装及其制造方法。根据本发明的实施方式，传感器封装包括：金属框架；传感器芯片，该传感器芯片形成在金属框架上，并且包括感测部件；形成在传感器芯片上并且形成在除感测部件外在其余部分上的保护层；以及被形成以覆盖金属框架及传感器芯片的模制部件，其中保护层的上表面与模制部件的上表面被布置在同一表面上。

公开(公告)号：CN104241233A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201410047188.5

申请日：2014-02-10

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 郑泰成 ,  金承壕 ,  张珉硕

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/29 ,  H01L21/60 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L24/97 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种晶圆级半导体封装的结构和制造方法，所述晶圆级半导体封装包括：一面具有第一连接板的第一半导体芯片裸片；安装在所述第一半导体芯片裸片的所述一面、并且一面具有第二连接板的第二半导体芯片裸片；对所述第一半导体芯片裸片和所述第二半导体芯片裸片进行密封的密封部；形成在所述第一连接板上，并贯通所述密封部而向外部露出的通孔；以及形成在所述通孔的露出侧的第一外部连接端子。

公开(公告)号：CN103093959A

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201210211278.4

申请日：2012-06-21

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 金炫兑 ,  金承壕 ,  崔钟佑 ,  小野雅章 ,  权祥勋

IPC: H01G4/30 ,  H01G4/232

Abstract: 本发明提供一种多层陶瓷电子元件的制造方法，该方法包括：制备片形陶瓷烧结体；在所述陶瓷烧结体的外表面形成第一外部电极；在所述第一外部电极上形成含有至少一种导电金属的第二外部电极；以及通过使用含有至少一种金属的焊锡膏到所述第二外部电极来形成金属涂层。本发明还提供另一种多层陶瓷电子元件的制造方法。根据本发明实施方式的多层陶瓷电子元件的制造方法包括在外部电极上形成铜（Cu）或镍（Ni）镀层，从而防止电镀液的渗透或由铜（Cu）形成的外部电极的淋溶，因此，可以制造出具有良好可靠性的多层陶瓷电子元件。