多层陶瓷电子元件及其制备方法

    公开(公告)号:CN102637527A

    公开(公告)日:2012-08-15

    申请号:CN201210028553.9

    申请日:2012-02-09

    Abstract: 在此提供了一种多层陶瓷电子元件及其制备方法。所述多层陶瓷电子元件包括:活性层,其中由含有平均颗粒尺寸为100-300nm的陶瓷粉的电介质组合物形成的电介质层和内部电极层交替堆叠;形成于活性层顶面和底面至少一面上且由含有与所述活性层的陶瓷粉相同的陶瓷粉的电介质组合物制得的覆盖层,所述陶瓷粉的平均颗粒尺寸为50-250nm;以及与内部电极层电连接的外部电极。根据本发明实施方式的多层陶瓷电子元件同时烧制至均匀烧结以减少烧结收缩不匹配,从而增强可靠性。

    端电极的导电膏组合物、多层陶瓷电容器及其制造方法

    公开(公告)号:CN102543251A

    公开(公告)日:2012-07-04

    申请号:CN201110153440.7

    申请日:2011-05-31

    CPC classification number: H01G4/2325 H01B1/16 H01G4/30

    Abstract: 本公开提供了一种端电极的导电膏组合物、多层陶瓷电容器及其制造方法。用于端电极的导电膏组合物包括导电金属粉末和由下式表示的玻璃料:aSiO2-bB2O3-cAl2O3-dTMxOy-eR12O-fR2O,TM是从由锌(Zn)、钛(Ti)、铜(Cu)、钒(V)、锰(Mn)、铁(Fe)和镍(Ni)组成的组中选择的过渡金属,R1从由锂、钠和钾组成的组中选择,R2从由镁、钙、锶和钡组成的组中选择,x和y均大于0,a的范围从15mol%至70mol%,b的范围从15mol%至45mol%,c的范围从1mol%至10mol%,d的范围从1mol%至50mol%,e的范围从2mol%至30mol%,f的范围从5mol%至40mol%。用于端电极的导电膏组合物包含具有提高了的对镀覆溶液的耐腐蚀性的玻璃料组分,因此有效地防止了镀覆溶液的渗入并提高了芯片可靠性。

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