公开(公告)号：CN107946174A

公开(公告)日：2018-04-20

申请号：CN201710946191.4

申请日：2017-10-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄宣惠 ,  曹仑廷 ,  郑元雄 ,  金湳健 ,  李公洙 ,  B.林 ,  赵允哲

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/033

CPC classification number: H01L21/32139 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/04 ,  C23C16/24 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32055 ,  H01L27/10885 ,  H01L21/02406 ,  H01L21/02474 ,  H01L21/02496 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/02664

Abstract: 公开形成硅层的方法、形成图案的方法和使用其制造半导体器件的方法。形成图案的方法包括在基底上形成蚀刻对象层；在所述蚀刻对象层上形成牺牲图案，所述牺牲图案包括含碳材料；将硅-硫化合物或者含硫气体提供到所述牺牲图案上以形成晶种层；将硅前体提供到所述晶种层上以形成含硅的掩模图案；和使用所述掩模图案将所述蚀刻对象层至少部分地蚀刻。

公开(公告)号：CN107946174B

公开(公告)日：2023-08-22

申请号：CN201710946191.4

申请日：2017-10-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄宣惠 ,  曹仑廷 ,  郑元雄 ,  金湳健 ,  李公洙 ,  B.林 ,  赵允哲

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/033

Abstract: 公开形成硅层的方法、形成图案的方法和使用其制造半导体器件的方法。形成图案的方法包括在基底上形成蚀刻对象层；在所述蚀刻对象层上形成牺牲图案，所述牺牲图案包括含碳材料；将硅‑硫化合物或者含硫气体提供到所述牺牲图案上以形成晶种层；将硅前体提供到所述晶种层上以形成含硅的掩模图案；和使用所述掩模图案将所述蚀刻对象层至少部分地蚀刻。