公开(公告)号：CN107946174B

公开(公告)日：2023-08-22

申请号：CN201710946191.4

申请日：2017-10-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄宣惠 ,  曹仑廷 ,  郑元雄 ,  金湳健 ,  李公洙 ,  B.林 ,  赵允哲

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/033

Abstract: 公开形成硅层的方法、形成图案的方法和使用其制造半导体器件的方法。形成图案的方法包括在基底上形成蚀刻对象层；在所述蚀刻对象层上形成牺牲图案，所述牺牲图案包括含碳材料；将硅‑硫化合物或者含硫气体提供到所述牺牲图案上以形成晶种层；将硅前体提供到所述晶种层上以形成含硅的掩模图案；和使用所述掩模图案将所述蚀刻对象层至少部分地蚀刻。

公开(公告)号：CN109768014B

公开(公告)日：2023-10-17

申请号：CN201811324290.X

申请日：2018-11-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪镇宇 ,  李泳周 ,  崔准容 ,  金廷泫 ,  李尚俊 ,  李贤奎 ,  赵允哲 ,  朴济民 ,  潘孝同

IPC: H10B12/00

Abstract: 提供了一种存储器件及其制造方法。所述存储器件包括：位于由衬底上的器件隔离层限定的有源区域上的单元晶体管，使得每个单元晶体管具有掩埋单元栅极和与所述衬底邻近并相对于所述掩埋单元栅极至少部分位于所述衬底远侧的结部分；所述衬底上的绝缘图案，覆盖所述单元晶体管和所述器件隔离层；以及位于所述绝缘图案上并连接到所述结部分的位线结构。所述位线结构包括：位于所述图案上并具有热氧化物图案的缓冲图案、位于所述缓冲图案上的导线以及从所述导线穿过所述缓冲图案和所述绝缘图案延伸到所述结部分的接触。

公开(公告)号：CN109768014A

公开(公告)日：2019-05-17

申请号：CN201811324290.X

申请日：2018-11-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪镇宇 ,  李泳周 ,  崔准容 ,  金廷泫 ,  李尚俊 ,  李贤奎 ,  赵允哲 ,  朴济民 ,  潘孝同

IPC: H01L21/8242 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L27/10823 ,  H01L21/76895 ,  H01L23/535 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/10885 ,  H01L27/10888

Abstract: 提供了一种存储器件及其制造方法。所述存储器件包括：位于由衬底上的器件隔离层限定的有源区域上的单元晶体管，使得每个单元晶体管具有掩埋单元栅极和与所述衬底邻近并相对于所述掩埋单元栅极至少部分位于所述衬底远侧的结部分；所述衬底上的绝缘图案，覆盖所述单元晶体管和所述器件隔离层；以及位于所述绝缘图案上并连接到所述结部分的位线结构。所述位线结构包括：位于所述图案上并具有热氧化物图案的缓冲图案、位于所述缓冲图案上的导线以及从所述导线穿过所述缓冲图案和所述绝缘图案延伸到所述结部分的接触。

公开(公告)号：CN107946174A

公开(公告)日：2018-04-20

申请号：CN201710946191.4

申请日：2017-10-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄宣惠 ,  曹仑廷 ,  郑元雄 ,  金湳健 ,  李公洙 ,  B.林 ,  赵允哲

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/033

CPC classification number: H01L21/32139 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/04 ,  C23C16/24 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32055 ,  H01L27/10885 ,  H01L21/02406 ,  H01L21/02474 ,  H01L21/02496 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/02664

Abstract: 公开形成硅层的方法、形成图案的方法和使用其制造半导体器件的方法。形成图案的方法包括在基底上形成蚀刻对象层；在所述蚀刻对象层上形成牺牲图案，所述牺牲图案包括含碳材料；将硅-硫化合物或者含硫气体提供到所述牺牲图案上以形成晶种层；将硅前体提供到所述晶种层上以形成含硅的掩模图案；和使用所述掩模图案将所述蚀刻对象层至少部分地蚀刻。