公开(公告)号：CN109671676A

公开(公告)日：2019-04-23

申请号：CN201811197947.0

申请日：2018-10-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李俊坤 ,  黄国泰 ,  富田隆治

IPC: H01L21/8234

Abstract: 提供了制造半导体器件的方法，所述方法可以包括：在衬底上形成有源图案；在所述有源图案上形成横越所述有源图案的栅电极；在所述有源图案中形成与所述栅电极的侧壁相邻的凹部；以及使用源气体和掺杂气体执行化学气相沉积工艺，以在所述凹部中形成源极/漏极区域。所述源气体可以包括硅前体和锗前体，并且所述掺杂气体可以包括镓前体和硼前体。

公开(公告)号：CN109801912A

公开(公告)日：2019-05-24

申请号：CN201811358190.9

申请日：2018-11-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 任廷爀 ,  黄国泰 ,  金完敦 ,  玄尚镇

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 一种集成电路(IC)器件包括：衬底，具有在第一方向上延伸的鳍型有源区；栅极结构，在衬底上与鳍型有源区交叉，栅极结构在垂直于第一方向并平行于衬底的顶表面的第二方向上延伸；源极区和漏极区，在栅极结构的两侧；以及第一接触结构，电连接到源极区和漏极区之一，第一接触结构包括包含第一材料的第一接触插塞以及围绕第一接触插塞的第一润湿层，第一润湿层包括具有与第一材料的晶格常数相差约10％或更小的晶格常数的第二材料。