公开(公告)号：CN113097213A

公开(公告)日：2021-07-09

申请号：CN202010951488.1

申请日：2020-09-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 鲁知艺 ,  林珍洙 ,  张大铉 ,  千志成 ,  洪祥准

IPC: H01L27/11563 ,  H01L27/11573

Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：外围电路结构，设置在基底上；下堆叠件和上堆叠件，下堆叠件设置在外围电路结构上，上堆叠件设置在下堆叠件上，下堆叠件包括多个下绝缘层和与所述多个下绝缘层交替地堆叠的多条下字线；多个沟道结构，在单元阵列区中延伸穿过下堆叠件和上堆叠件；一对分隔绝缘层，竖直地延伸穿过下堆叠件和上堆叠件并且在水平方向上延伸，所述一对分隔绝缘层在竖直方向上彼此间隔开；以及字线分隔层，设置在下堆叠件的上部处并且当在平面图中观看时与所述一对分隔绝缘层交叉，字线分隔层竖直地延伸穿过所述多条下字线中的至少一条下字线。

公开(公告)号：CN111293124A

公开(公告)日：2020-06-16

申请号：CN201910863590.3

申请日：2019-09-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 白石千 ,  鲁知艺 ,  孙仑焕 ,  千志成

IPC: H01L27/11582 ,  H01L27/1157

Abstract: 公开了一种垂直存储器装置。所述垂直存储器装置包括位于基底上的栅电极以及沟道。栅电极在基本垂直于基底的上表面的竖直方向上彼此分隔开。沟道延伸穿过栅电极，并且包括第一部分、第二部分和第三部分。第二部分形成在第一部分上并且连接到第一部分，并且具有相对于基底的上表面倾斜的侧壁，从而具有从第二部分的底部朝向顶部逐渐减小的宽度。第三部分形成在第二部分上并且连接到第二部分。

公开(公告)号：CN113611708A

公开(公告)日：2021-11-05

申请号：CN202110114716.4

申请日：2021-01-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 千志成 ,  鲁知艺 ,  朴昞坤 ,  林珍洙

IPC: H01L27/11563 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11578 ,  H01L27/11582

Abstract: 一种竖直存储器件，包括：栅电极结构、沟道、电荷存储结构和划分图案。栅电极包括在第一方向上彼此间隔开的栅电极。沟道穿过栅电极结构延伸，并且包括第一部分和第一部分之上并且接触第一部分的第二部分。第二部分包括具有比第一部分的上表面的宽度小的宽度的下表面。电荷存储结构覆盖沟道的外侧壁。划分图案在沟道之间沿第二方向延伸，并且包括第一虚设沟道和覆盖第一虚设沟道的侧壁和下表面的第一虚设电荷存储结构。第一虚设沟道包括与沟道的材料相同的材料，并且第一虚设电荷存储结构包括与电荷存储结构相同的材料。