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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112837738A
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN202010839192.0
申请日：2020-08-19
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了控制非易失性存储器件的操作的方法、用于执行该方法的数据转换器以及存储系统。信道选择信息指示输入数据的数据位的位置、用于纠正所述输入数据中的错误的纠错码(ECC)奇偶校验位的位置以及状态整形奇偶校验位的位置。生成所述ECC奇偶校验位和所述状态整形奇偶校验位，以使得所述多个存储单元中的在其中编程了多个状态当中的至少一个目标状态的存储单元的数量减少。通过基于所述信道选择信息排列所述输入数据的所述数据位、所述ECC奇偶校验位和所述状态整形奇偶校验位，来生成对齐向量。基于针对所述对齐向量同时执行状态整形和ECC编码来生成码字。基于所述码字将写入数据写入所述非易失性存储器件中。
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公开(公告)号：CN119274621A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202410846604.1
申请日：2024-06-27
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种存储装置包括：非易失性存储器件，包括耦接到第一字线的多个第一存储单元和耦接到第二字线的多个第二存储单元，第一字线和第二字线彼此相邻；以及存储控制器，被配置为控制非易失性存储器件。存储控制器还被配置为：基于多个第一存储单元中的每一个的编程状态，对要被编程到多个第二存储单元中的数据进行编码，以及对要被编程到第二字线中的数据进行编码，使得要被写入到多个第二存储单元的第一部分中的该数据的第一部分满足第一条件，以及使得要被写入到多个第二存储单元的第二部分中的该数据的第二部分满足第二条件。
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公开(公告)号：CN116264094A
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN202211327972.2
申请日：2022-10-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/34
Abstract: 提供了存储装置、存储装置控制器及其操作方法。一种操作存储装置控制器的方法，包括：接收原始数据，所述原始数据指示一系列位，每一个所述位对应于阈值电压状态之一；执行用于减小所述一系列位中的第一目标位的数量的第一状态整形，在多个页的第一页中，所述第一目标位的逻辑值等于所述阈值电压状态的目标阈值电压状态逻辑值；基于所述第一状态整形生成指示所述第一目标位的第一指示数据；压缩所述第一指示数据；并且存储压缩的第一指示数据。
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公开(公告)号：CN115985373A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202210916834.1
申请日：2022-08-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/26
Abstract: 公开了搜索非易失性存储器装置的读取电压的方法。非易失性存储器装置包括具有彼此不同的第一状态和第二状态的多个存储器单元。搜索非易失性存储器装置的读取电压的方法包括：确定表示数据读取操作被执行的次数的数量n；选择读取电压的n个读取电压电平，使得读取电压电平的数量等于数据读取操作的次数，其中，所述n个读取电压电平彼此不同；通过使用全部的所述n个读取电压电平对所述多个存储器单元执行n次数据读取操作来生成n个单元计数值；以及通过使用所述n个读取电压电平和所述n个单元计数值执行基于一阶多项式的回归分析来生成读取电压的最佳读取电压电平。
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公开(公告)号：CN115910171A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202210540102.7
申请日：2022-05-17
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供一种计算最佳读取电平的存储器控制器、一种包括存储器控制器的存储器系统、以及一种存储器控制器的操作方法。存储器控制器包括处理器和读取电平计算模块，处理器被配置为控制对存储器件的存储器操作，读取电平计算模块被配置为：接收基于对使用多个电平读取的数据的计数操作生成的N个计数值，N个计数值分别对应于N个读取电平，以从N个读取电平选择的选定读取电平作为输入并且以与选定读取电平相对应的计数值作为输出，建模出至少两个单元计数函数，并且基于从至少两个单元计数函数选择的最佳单元计数函数来计算最佳读取电平，其中，N是等于或大于四的整数，其中，N个计数值包括与不同的至少四个读取电平相对应的计数值。
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