公开(公告)号：CN114664367A

公开(公告)日：2022-06-24

申请号：CN202111227999.X

申请日：2021-10-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹钟轮 ,  宋弦钟 ,  崔城赫 ,  孙弘乐

IPC: G11C29/42 ,  G11C16/34

Abstract: 提供了预测非易失性存储器件的剩余寿命的方法以及执行该方法的存储设备。在预测非易失性存储器件的剩余寿命的方法中，执行读取序列。所述读取序列包括多个读取操作，所述多个读取操作中的至少一个读取操作被顺序地执行，直到成功地得到所述非易失性存储器件中存储的读取数据。生成序列类别和纠错码(ECC)解码信息。基于所述序列类别和所述ECC解码信息中的至少一者确定所述非易失性存储器件的寿命阶段。当确定所述非易失性存储器件对应于第一寿命阶段时，执行对所述非易失性存储器件的所述剩余寿命的粗略预测。当确定所述非易失性存储器件对应于所述第一寿命阶段之后的第二寿命阶段，执行对所述非易失性存储器件的所述剩余寿命的精细预测。

公开(公告)号：CN115910171A

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN202210540102.7

申请日：2022-05-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 鲁官宇 ,  宋弦钟 ,  李伟植 ,  孙弘乐 ,  申东旻 ,  崔城赫

IPC: G11C16/26 ,  G11C16/12

Abstract: 提供一种计算最佳读取电平的存储器控制器、一种包括存储器控制器的存储器系统、以及一种存储器控制器的操作方法。存储器控制器包括处理器和读取电平计算模块，处理器被配置为控制对存储器件的存储器操作，读取电平计算模块被配置为：接收基于对使用多个电平读取的数据的计数操作生成的N个计数值，N个计数值分别对应于N个读取电平，以从N个读取电平选择的选定读取电平作为输入并且以与选定读取电平相对应的计数值作为输出，建模出至少两个单元计数函数，并且基于从至少两个单元计数函数选择的最佳单元计数函数来计算最佳读取电平，其中，N是等于或大于四的整数，其中，N个计数值包括与不同的至少四个读取电平相对应的计数值。

公开(公告)号：CN115831202A

公开(公告)日：2023-03-21

申请号：CN202211115494.9

申请日：2022-09-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔城赫 ,  申东旻 ,  孙弘乐 ,  宋弦钟 ,  赵映澈

IPC: G11C16/34 ,  G11C16/10 ,  G11C16/26

Abstract: 本文公开了控制存储装置的存储器控制器的操作方法。该方法包括：将写入数据存储在存储装置的第一区域中，提取指示包括在存储在第一区域中的数据中的至少一个错误的位置的第一错误位置信息，将第一错误位置信息存储在存储装置的第二区域中，从存储装置的第一区域读取读取数据；从存储装置的第二区域读取第一错误位置信息，基于第一错误位置信息对读取数据进行改进以生成改进数据，基于改进数据执行软判决解码以生成校正数据，以及输出校正数据。