公开(公告)号：CN117909122A

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN202310836311.0

申请日：2023-07-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吉庸成 ,  姜淳荣 ,  孙弘乐 ,  李冈䄷

IPC: G06F11/10 ,  G11C29/42 ,  H03M13/11

Abstract: 公开了一种存储装置及存储装置的操作方法。所述存储装置包括非易失性存储器件和存储控制器，所述存储控制器对所述非易失性存储装置执行读取操作，并且对在所述读取操作中读取的数据执行差错纠正操作。在所述差错纠正操作中，所述存储控制器估计所述读取数据的差错率，并且基于所估计的差错率确定是否执行读取重试操作。

公开(公告)号：CN119179432A

公开(公告)日：2024-12-24

申请号：CN202410739935.5

申请日：2024-06-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜淳荣 ,  申东旻

IPC: G06F3/06 ,  G06F11/10

Abstract: 提供了存储器系统、存储器控制器及其操作方法。示例存储器系统包括存储器装置和存储器控制器。所述存储器装置被配置为基于硬读取电压从存储器单元阵列读取硬判决数据，基于第一软读取电压从所述存储器单元阵列读取第一软判决数据，所述第一软读取电压是基于所述硬读取电压和第一电压偏移而获得的，基于对于所述第一软判决数据中的每个第一软判决子段将具有第一值的位的位置编码为位置值，生成第一压缩子段，并且输出包括所述第一压缩子段的第一压缩数据。所述存储器控制器被配置为接收所述第一压缩数据，对所述每个第一压缩子段的位置值的数目进行计数，以及基于计数数目向所述存储器装置提供请求改变电压偏移和再压缩操作的命令。

公开(公告)号：CN119274621A

公开(公告)日：2025-01-07

申请号：CN202410846604.1

申请日：2024-06-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金玟昱 ,  姜淳荣 ,  鲁官宇 ,  申东旻

IPC: G11C16/10 ,  G11C16/34

Abstract: 一种存储装置包括：非易失性存储器件，包括耦接到第一字线的多个第一存储单元和耦接到第二字线的多个第二存储单元，第一字线和第二字线彼此相邻；以及存储控制器，被配置为控制非易失性存储器件。存储控制器还被配置为：基于多个第一存储单元中的每一个的编程状态，对要被编程到多个第二存储单元中的数据进行编码，以及对要被编程到第二字线中的数据进行编码，使得要被写入到多个第二存储单元的第一部分中的该数据的第一部分满足第一条件，以及使得要被写入到多个第二存储单元的第二部分中的该数据的第二部分满足第二条件。

公开(公告)号：CN117955506A

公开(公告)日：2024-04-30

申请号：CN202311401127.X

申请日：2023-10-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜淳荣 ,  吉庸成 ,  金宰弘 ,  孙弘乐

IPC: H03M13/11 ,  G06F3/06

Abstract: 提供了一种ECC解码器、存储控制器和存储系统。所述存储控制器包括：处理器，所述处理器具有位于其中的解码模式确定电路，所述解码模式确定电路被配置为：(i)接收关于存储器件的寿命或保持的信息，以及(ii)基于所接收的信息，将第一操作模式和第二操作模式中的一者确定为操作模式。所述处理器被配置为向存储器件传送用于在单次读取的时间段期间获得硬判决(HD)数据和第一条SD数据的粗略软判决(SD)读取命令，或者用于从多次读取获得第二条SD数据的精细SD读取命令。

公开(公告)号：CN117666943A

公开(公告)日：2024-03-08

申请号：CN202311070745.0

申请日：2023-08-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吉庸成 ,  姜淳荣 ,  孙弘乐 ,  李冈石

IPC: G06F3/06 ,  G11C7/10 ,  G11C8/10 ,  G06F13/16

Abstract: 公开了一种操作被配置为与非易失性存储器装置通信的存储控制器的方法以及一种存储控制器。该方法包括从非易失性存储器装置接收计数数据，基于计数数据确定预读电压，使用预读电压将预读请求发送到非易失性存储器装置，响应于发送预读请求而从非易失性存储器装置接收预读数据，计算与预读数据相对应的解码值，以及基于计数数据和解码值生成读电压信息，并且解码值预测预读数据的错误电压。