公开(公告)号：CN102148053A

公开(公告)日：2011-08-10

申请号：CN201110035035.5

申请日：2011-02-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李哲宇 ,  张星珍 ,  郭镇锡 ,  高兑荣 ,  金正烈 ,  金尚玧 ,  朴祥均 ,  李祯培

IPC: G11C7/12 ,  G11C7/06

CPC classification number: G11C5/063 ,  G11C7/062 ,  G11C7/065 ,  G11C7/18 ,  G11C11/4091 ,  G11C11/4097 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/105 ,  H01L27/10885 ,  H01L27/10897 ,  Y10T29/41

Abstract: 一种具有开放式位线存储器结构的半导体存储器件，从中去除了边缘伪存储块，该半导体存储器件包括：存储块；包括第一感测放大器的边缘感测放大块，该第一感测放大器具有第一位线、第一互补位线、以及第一放大电路，该第一放大电路包括具有第一尺寸的第一晶体管；包括第二感测放大器的中央感测放大块，该第二感测放大器具有第二位线、第二互补位线、以及第二放大电路，该第二放大电路包括第二晶体管，该第二晶体管具有不同于第一尺寸的第二尺寸；以及电容器块，其电连接到该边缘感测放大块。