公开(公告)号：CN102456675A

公开(公告)日：2012-05-16

申请号：CN201110328364.9

申请日：2011-10-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 沈载株 ,  金敬勋 ,  李云京 ,  赵源锡 ,  赵厚成 ,  朴镇泽 ,  金种衍 ,  黄盛珉

IPC: H01L25/00 ,  H01L27/115 ,  H01L23/528

CPC classification number: H01L27/11578 ,  H01L27/11582 ,  H01L29/7926

Abstract: 本发明涉及三维半导体器件。该器件可以包括包含栅图案和绝缘图案的层叠图案。层叠图案还可以包括第一部分和第二部分，并且层叠结构的第二部分可以具有比第一部分窄的宽度。该器件还可以包括穿过层叠结构的有源图案。该器件还可以包括与层叠结构相邻的公共源极区。该器件可以另外包括在公共源极区上的带接触插塞。

公开(公告)号：CN102456675B

公开(公告)日：2016-04-13

申请号：CN201110328364.9

申请日：2011-10-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 沈载株 ,  金敬勋 ,  李云京 ,  赵源锡 ,  赵厚成 ,  朴镇泽 ,  金种衍 ,  黄盛珉

IPC: H01L25/00 ,  H01L27/115 ,  H01L23/528

CPC classification number: H01L27/11578 ,  H01L27/11582 ,  H01L29/7926

Abstract: 本发明涉及三维半导体器件。该器件可以包括包含栅图案和绝缘图案的层叠图案。层叠图案还可以包括第一部分和第二部分，并且层叠结构的第二部分可以具有比第一部分窄的宽度。该器件还可以包括穿过层叠结构的有源图案。该器件还可以包括与层叠结构相邻的公共源极区。该器件可以另外包括在公共源极区上的带接触插塞。