公开(公告)号：CN101114271B

公开(公告)日：2012-04-04

申请号：CN200710136795.9

申请日：2007-07-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申莲姬 ,  孙汉求 ,  李英敏 ,  李东奕 ,  朴钟旭 ,  李镐哲 ,  金美调 ,  金中植 ,  李彰浩

IPC: G06F15/167 ,  G11C7/10

Abstract: 一种可多路径访问半导体存储器件，在处理器之间提供接口功能。该存储器件可包括：存储单元阵列，具有在操作上与两个或多个端口相连的共享存储区，所述两个或多个端口可独立地由两个或多个处理器访问；访问路径形成单元，用于响应于处理器所施加的外部信号，在端口之一和共享存储区之间形成数据访问路径；以及接口单元，具有共享存储区中可由这两个或多个处理器访问的标志区和邮箱区，以便为这两个或多个处理器之间的通信提供接口功能。

公开(公告)号：CN103544988A

公开(公告)日：2014-01-29

申请号：CN201310293461.8

申请日：2013-07-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金中植 ,  金澈 ,  申相浩

IPC: G11C11/406

CPC classification number: G11C11/406 ,  G11C7/00 ,  G11C11/402 ,  G11C11/40603 ,  G11C11/40622 ,  G11C11/408 ,  G11C2211/406

Abstract: 一种半导体存储器件包括单元阵列和耦合到单元阵列的刷新控制器。刷新控制器被配置为基于关于单元阵列的地址信息在第一刷新地址序列中插入至少一个插入刷新地址以产生第二刷新地址序列，并将第二刷新地址序列应用到单元阵列，使得被选择的单元可以更频繁地被刷新而不增加整体的刷新率。

公开(公告)号：CN101377950A

公开(公告)日：2009-03-04

申请号：CN200810214239.3

申请日：2008-08-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴致成 ,  金中植

IPC: G11C8/12 ,  G11C8/10 ,  G11C11/408 ,  G11C7/10 ,  G11C11/4093

CPC classification number: G11C7/1075

Abstract: 一种多端口存储器件，包括第一和第二端口、分配给第一端口的第一专用存储器区域、由第一和第二端口共享存取的多个共享存储器单元、用于第一专用存储器区域的第一组I/O线、以及用于所述共享存储器单元的第二组I/O线，第二组具有比第一组更多的I/O线。例如，第二组具有比第一组多N倍的I/O线，N为该多端口存储器件的端口的数量，或者N为共享存储器区域中的共享存储体的数量。

公开(公告)号：CN103544988B

公开(公告)日：2018-10-02

申请号：CN201310293461.8

申请日：2013-07-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金中植 ,  金澈 ,  申相浩

IPC: G11C11/406

Abstract: 一种半导体存储器件包括单元阵列和耦合到单元阵列的刷新控制器。刷新控制器被配置为基于关于单元阵列的地址信息在第一刷新地址序列中插入至少一个插入刷新地址以产生第二刷新地址序列，并将第二刷新地址序列应用到单元阵列，使得被选择的单元可以更频繁地被刷新而不增加整体的刷新率。

公开(公告)号：CN102543941A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201110447057.2

申请日：2011-12-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金中植 ,  李东奕 ,  李镐哲 ,  柳长佑

IPC: H01L23/52 ,  H01L25/065 ,  H01L27/105

CPC classification number: H01L23/5258 ,  G01K7/01 ,  G01K13/10 ,  H01L23/34 ,  H01L23/481 ,  H01L24/16 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01055 ,  H01L2924/01068

Abstract: 公开了用于在多个半导体层之间稳定地传送信号的采用了堆叠结构的半导体器件、存储器件、系统和方法。所述器件包括至少第一半导体芯片和至少一个贯通衬底通路，该第一半导体芯片包括第一温度传感器电路，该第一温度传感器电路被配置成输出与第一半导体芯片相关的第一温度信息。

公开(公告)号：CN101114271A

公开(公告)日：2008-01-30

申请号：CN200710136795.9

申请日：2007-07-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申莲姬 ,  孙汉求 ,  李英敏 ,  李东奕 ,  朴钟旭 ,  李镐哲 ,  金美调 ,  金中植 ,  李彰浩

IPC: G06F15/167 ,  G11C7/10

Abstract: 一种可多路径访问半导体存储器件，在处理器之间提供接口功能。该存储器件可包括：存储单元阵列，具有在操作上与两个或多个端口相连的共享存储区，所述两个或多个端口可独立地由两个或多个处理器访问；访问路径形成单元，用于响应于处理器所施加的外部信号，在端口之一和共享存储区之间形成数据访问路径；以及接口单元，具有共享存储区中可由这两个或多个处理器访问的标志区和邮箱区，以便为这两个或多个处理器之间的通信提供接口功能。