公开(公告)号：CN101504934A

公开(公告)日：2009-08-12

申请号：CN200910006773.X

申请日：2005-01-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑义振 ,  姜明求 ,  李在馥

IPC: H01L21/84 ,  H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  H01L21/027 ,  H01L21/268

CPC classification number: H01L21/0268 ,  B23K26/066 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/1285

Abstract: 公开了一种用于使非晶硅结晶的光学掩模，其包括第一狭缝区域，所述第一狭缝区域包括规则排布以用于限定激光束入射区域的多个狭缝，其中在结晶工艺中第一狭缝区域的狭缝形成为与光学掩模的移动方向倾斜成预定角度，并且其中第一狭缝区域的狭缝包括具有第一长度的第一狭缝和具有第二长度的第二狭缝，所述第二长度大于所述第一长度。

公开(公告)号：CN1848365B

公开(公告)日：2010-04-07

申请号：CN200510119279.6

申请日：2005-11-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑世镇 ,  金治宇 ,  郑义振 ,  金东范

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/268 ,  H01L21/324 ,  H01L21/336 ,  B23K26/00 ,  C30B28/00

Abstract: 本发明提供了一种多晶硅薄膜的制造方法和具有该薄膜的TFT的制造方法，其中，激光束被辐射到非晶硅薄膜的一部分，以使非晶硅薄膜的该部分液化。非晶硅薄膜位于基板的第一端部上。液化硅被晶化以形成硅晶粒。激光束在第一方向上被从基板的第一端部向与第一端部相对的第二端部移动一个间隔。激光束然后被辐射到与硅晶粒相邻的非晶硅薄膜的一部分以形成第一多晶硅薄膜。因此，非晶硅薄膜的电学特性可以被改进。

公开(公告)号：CN1754253A

公开(公告)日：2006-03-29

申请号：CN200480005096.5

申请日：2004-02-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑义振 ,  金东范 ,  李秀卿 ,  姜明求 ,  金县裁

IPC: H01L21/324

CPC classification number: B23K26/0676 ,  B23K26/06 ,  B23K26/064 ,  B23K26/0643 ,  B23K26/066 ,  B23K26/067 ,  B23K26/0732 ,  B23K2101/40 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0268 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/02691 ,  H01L21/268 ,  H01L27/1285

Abstract: 一种硅晶化系统，包括光束产生器，用于产生激光束；第一和第二光学单元，用于控制来自光束产生器的激光束；和台架，用于安装平板，该平板包括将被来自光学单元的激光束多晶化的非晶硅层。第一光学单元使激光束具有横边和比该横边长的纵边，且第二光学单元使激光束具有横边和比该横边短的纵边。

公开(公告)号：CN101120123A

公开(公告)日：2008-02-06

申请号：CN200480041589.4

申请日：2004-05-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金东范 ,  郑世镇 ,  郑义振

IPC: C30B29/06 ,  H01L29/04 ,  C30B30/00 ,  G02F1/1368 ,  C30B35/00

CPC classification number: H01L21/02686 ,  B23K26/0622 ,  B23K26/067 ,  B23K26/0673 ,  B23K26/0732 ,  B23K26/0736 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/2026 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78678

Abstract: 生成脉冲频率高于约300Hz的光。该光在非晶硅薄膜上照射预定时间段，以形成初始多晶硅晶体；沿预定方向移动该光以使初始多晶硅晶体生长。将输出能量降低了的激光束照射在非晶硅薄膜上，以将非晶硅薄膜结晶成多晶硅薄膜，使得降低了生成激光束用装置的负载，并且增加了生成激光束用装置的寿命。

公开(公告)号：CN1655056A

公开(公告)日：2005-08-17

申请号：CN200510064031.4

申请日：2005-01-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑义振 ,  姜明求 ,  李在馥

IPC: G03F1/00 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/0268 ,  B23K26/066 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/1285

Abstract: 公开了一种用于使非晶硅结晶的光学掩模，其包括第一狭缝区域，所述第一狭缝区域包括规则排布以用于限定激光束入射区域的多个狭缝，其中在结晶工艺中第一狭缝区域的狭缝形成为与光学掩模的移动方向倾斜成预定角度，并且其中第一狭缝区域的狭缝包括具有第一长度的第一狭缝和具有第二长度的第二狭缝，所述第二长度大于所述第一长度。

公开(公告)号：CN1655056B

公开(公告)日：2010-10-27

申请号：CN200510064031.4

申请日：2005-01-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑义振 ,  姜明求 ,  李在馥

IPC: G03F1/00 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/0268 ,  B23K26/066 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/1285

Abstract: 公开了一种用于使非晶硅结晶的光学掩模，其包括第一狭缝区域，所述第一狭缝区域包括规则排布以用于限定激光束入射区域的多个狭缝，其中在结晶工艺中第一狭缝区域的狭缝形成为与光学掩模的移动方向倾斜成预定角度，并且其中第一狭缝区域的狭缝包括具有第一长度的第一狭缝和具有第二长度的第二狭缝，所述第二长度大于所述第一长度。

公开(公告)号：CN100437940C

公开(公告)日：2008-11-26

申请号：CN200480005096.5

申请日：2004-02-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑义振 ,  金东范 ,  李秀卿 ,  姜明求 ,  金县裁

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/268

CPC classification number: B23K26/0676 ,  B23K26/06 ,  B23K26/064 ,  B23K26/0643 ,  B23K26/066 ,  B23K26/067 ,  B23K26/0732 ,  B23K2101/40 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0268 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/02691 ,  H01L21/268 ,  H01L27/1285

Abstract: 一种硅晶化系统，包括光束产生器，用于产生激光束；第一和第二光学单元，用于控制来自光束产生器的激光束；和台架，用于安装平板，该平板包括将被来自光学单元的激光束多晶化的非晶硅层。第一光学单元使激光束具有横边和比该横边长的纵边，且第二光学单元使激光束具有横边和比该横边短的纵边。

公开(公告)号：CN1848365A

公开(公告)日：2006-10-18

申请号：CN200510119279.6

申请日：2005-11-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑世镇 ,  金治宇 ,  郑义振 ,  金东范

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/268 ,  H01L21/324 ,  H01L21/336 ,  B23K26/00 ,  C30B28/00

Abstract: 本发明提供了一种多晶硅薄膜的制造方法和具有该薄膜的TFT的制造方法，其中，激光束被辐射到非晶硅薄膜的一部分，以使非晶硅薄膜的该部分液化。非晶硅薄膜位于基板的第一端部上。液化硅被晶化以形成硅晶粒。激光束在第一方向上被从基板的第一端部向与第一端部相对的第二端部移动一个间隔。激光束然后被辐射到与硅晶粒相邻的非晶硅薄膜的一部分以形成第一多晶硅薄膜。因此，非晶硅薄膜的电学特性可以被改进。