公开(公告)号：CN118159038A

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN202311592041.X

申请日：2023-11-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 河盛穆 ,  卢炯均 ,  裵健希 ,  裵真秀 ,  崔镒朱

IPC: H10B80/00 ,  H01L29/06 ,  H01L21/60 ,  H01L21/54

Abstract: 提供了一种半导体封装件。所述半导体封装件包括下芯片。芯片堆叠结构布置在下芯片上。芯片堆叠结构包括多个上芯片。底部填充层设置在下芯片与芯片堆叠结构之间以及所述多个上芯片之间。模塑层围绕底部填充层和芯片堆叠结构。下芯片具有位于下芯片的上表面上的至少一个下沟槽。所述多个上芯片中的至少一个上芯片在所述多个上芯片中的所述至少一个上芯片的上表面上具有至少一个上沟槽。

公开(公告)号：CN117935867A

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN202311340394.0

申请日：2023-10-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔宰雄 ,  李东泳 ,  D·朴 ,  裵真秀

IPC: G11B33/14

Abstract: 存储设备可以包括存储器、收集存储设备的湿度信息的湿度传感器以及存储控制器，该存储控制器在湿度信息的湿度值超过参考湿度值的情况下通过存储器执行被设置为提高存储设备的温度的加热操作。

公开(公告)号：CN116417422A

公开(公告)日：2023-07-11

申请号：CN202211080242.7

申请日：2022-09-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卢炯均 ,  裵相友 ,  裵真秀

IPC: H01L23/433 ,  H01L23/427

Abstract: 公开了一种半导体模块，所述半导体模块包括：模块基底，具有彼此相对的顶表面和底表面；多个半导体封装件，位于模块基底的顶表面上，并且在与模块基底的顶表面平行的第一方向上布置；以及夹式结构，位于模块基底的顶表面上，并且在第一方向上与所述多个半导体封装件间隔开。夹式结构包括：主体部，位于模块基底的顶表面上，并且在第一方向上与所述多个半导体封装件间隔开；以及连接部，从主体部跨越模块基底的侧表面延伸到模块基底的底表面上。

公开(公告)号：CN115700920A

公开(公告)日：2023-02-07

申请号：CN202210699359.7

申请日：2022-06-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卢炯均 ,  裵相友 ,  裵真秀 ,  崔镒朱 ,  柳根豪 ,  崔悳瑄

IPC: H01L25/18 ,  H01L25/065 ,  H01L23/31 ,  H01L23/488

Abstract: 提供了一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：封装基底，包括具有接合垫的上表面；下半导体芯片，设置在封装基底的上表面上，其中，下半导体芯片的上表面包括连接边缘区域和开口边缘区域，连接边缘区域具有连接垫，开口边缘区域包括具有虚设凸块的坝结构；接合布线，在下半导体芯片的上表面上方具有第一高度并且连接接合垫和连接垫；上半导体芯片，使用芯片间接合层设置在下半导体芯片的上表面上；以及模制部分，位于封装基底上并且基本围绕下半导体芯片和上半导体芯片。

公开(公告)号：CN115117047A

公开(公告)日：2022-09-27

申请号：CN202111544919.3

申请日：2021-12-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卢炯均 ,  裵健希 ,  裵相友 ,  裵真秀 ,  崔德瑄 ,  崔镒朱

IPC: H01L25/18 ,  H01L23/31 ,  H01L23/367 ,  H01L23/48 ,  H01L23/50

Abstract: 一种半导体封装设备包括：封装基板、封装基板上的中介层、中介层上的半导体封装、以及在中介层和半导体封装之间的底部填充物。中介层包括在中介层的上部的至少一个第一沟槽，该至少一个第一沟槽在平行于封装基板的顶表面的第一方向上延伸。至少一个第一沟槽与半导体封装的边缘区域竖直重叠。底部填充物填充至少一个第一沟槽的至少一部分。