公开(公告)号：CN118159038A

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN202311592041.X

申请日：2023-11-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 河盛穆 ,  卢炯均 ,  裵健希 ,  裵真秀 ,  崔镒朱

IPC: H10B80/00 ,  H01L29/06 ,  H01L21/60 ,  H01L21/54

Abstract: 提供了一种半导体封装件。所述半导体封装件包括下芯片。芯片堆叠结构布置在下芯片上。芯片堆叠结构包括多个上芯片。底部填充层设置在下芯片与芯片堆叠结构之间以及所述多个上芯片之间。模塑层围绕底部填充层和芯片堆叠结构。下芯片具有位于下芯片的上表面上的至少一个下沟槽。所述多个上芯片中的至少一个上芯片在所述多个上芯片中的所述至少一个上芯片的上表面上具有至少一个上沟槽。

公开(公告)号：CN115700909A

公开(公告)日：2023-02-07

申请号：CN202210860684.7

申请日：2022-07-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卢炯均 ,  柳根豪 ,  裴相友 ,  裴真秀 ,  崔德瑄 ,  崔镒朱

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/485 ,  H01L25/18 ,  H10B41/35 ,  H01L23/488

Abstract: 本公开提供了一种能够提高性能和可靠性的半导体封装件。本公开的半导体封装件包括彼此电连接的第一装置和第二装置，第一装置包括衬底、形成在衬底的上侧的第一焊盘和形成在衬底的上侧并且形成为包围第一焊盘的钝化膜，第二装置包括布置为面对第一焊盘的第二焊盘，并且第一焊盘包括具有第一弹性模量的中心焊盘和具有小于第一弹性模量的第二弹性模量的边缘焊盘，边缘焊盘形成为包围中心焊盘并且接触钝化膜。

公开(公告)号：CN115700920A

公开(公告)日：2023-02-07

申请号：CN202210699359.7

申请日：2022-06-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卢炯均 ,  裵相友 ,  裵真秀 ,  崔镒朱 ,  柳根豪 ,  崔悳瑄

IPC: H01L25/18 ,  H01L25/065 ,  H01L23/31 ,  H01L23/488

Abstract: 提供了一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：封装基底，包括具有接合垫的上表面；下半导体芯片，设置在封装基底的上表面上，其中，下半导体芯片的上表面包括连接边缘区域和开口边缘区域，连接边缘区域具有连接垫，开口边缘区域包括具有虚设凸块的坝结构；接合布线，在下半导体芯片的上表面上方具有第一高度并且连接接合垫和连接垫；上半导体芯片，使用芯片间接合层设置在下半导体芯片的上表面上；以及模制部分，位于封装基底上并且基本围绕下半导体芯片和上半导体芯片。

公开(公告)号：CN115117047A

公开(公告)日：2022-09-27

申请号：CN202111544919.3

申请日：2021-12-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卢炯均 ,  裵健希 ,  裵相友 ,  裵真秀 ,  崔德瑄 ,  崔镒朱

IPC: H01L25/18 ,  H01L23/31 ,  H01L23/367 ,  H01L23/48 ,  H01L23/50

Abstract: 一种半导体封装设备包括：封装基板、封装基板上的中介层、中介层上的半导体封装、以及在中介层和半导体封装之间的底部填充物。中介层包括在中介层的上部的至少一个第一沟槽，该至少一个第一沟槽在平行于封装基板的顶表面的第一方向上延伸。至少一个第一沟槽与半导体封装的边缘区域竖直重叠。底部填充物填充至少一个第一沟槽的至少一部分。