公开(公告)号：CN108155174A

公开(公告)日：2018-06-12

申请号：CN201711274048.1

申请日：2017-12-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金钟完 ,  朴晟喆 ,  裵元一

IPC: H01L23/535 ,  H01L25/18

CPC classification number: H01L25/18 ,  G11C5/025 ,  G11C5/04 ,  G11C5/063 ,  G11C7/1006 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49052 ,  H01L2224/73207 ,  H01L2224/73257 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2225/06506 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06551 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L23/535

Abstract: 本发明构思涉及包括堆叠芯片的半导体存储器件及具有其的存储模块。一种半导体存储器件包括：存储结构，其包括一个堆叠在另一个上的第一集成电路芯片和多个第二集成电路芯片，第一集成电路芯片插置在所述多个第二集成电路芯片中的一对之间；接口单元，其设置在第一集成电路芯片上，存储结构通过接口单元连接到第三电路，并且接口单元将操作信号传输到第一集成电路芯片和所述多个第二集成电路芯片；至少一个芯片间互连器，其与接口单元以及第一集成电路芯片和所述多个第二集成电路芯片连接；以及与接口单元和第三电路连接的外部互连器。

公开(公告)号：CN1395255A

公开(公告)日：2003-02-05

申请号：CN02130381.9

申请日：2002-06-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金炳喆 ,  裵元一

IPC: G11C11/40 ,  G11C11/4063 ,  G11C7/00

CPC classification number: G11C7/065

Abstract: 一种半导体存储器，包括：存储器单元阵列和微分放大和锁存电路，在第一执行时间操作情况下锁存和输出从存储器单元阵列输出的每对信号对，在第二执行时间操作情况下，放大从存储器单元阵列输出的每对信号对的电压差。

公开(公告)号：CN108155174B

公开(公告)日：2021-06-08

申请号：CN201711274048.1

申请日：2017-12-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金钟完 ,  朴晟喆 ,  裵元一

IPC: H01L23/535 ,  H01L25/18

Abstract: 本发明构思涉及包括堆叠芯片的半导体存储器件及具有其的存储模块。一种半导体存储器件包括：存储结构，其包括一个堆叠在另一个上的第一集成电路芯片和多个第二集成电路芯片，第一集成电路芯片插置在所述多个第二集成电路芯片中的一对之间；接口单元，其设置在第一集成电路芯片上，存储结构通过接口单元连接到第三电路，并且接口单元将操作信号传输到第一集成电路芯片和所述多个第二集成电路芯片；至少一个芯片间互连器，其与接口单元以及第一集成电路芯片和所述多个第二集成电路芯片连接；以及与接口单元和第三电路连接的外部互连器。

公开(公告)号：CN1249724C

公开(公告)日：2006-04-05

申请号：CN02130381.9

申请日：2002-06-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金炳喆 ,  裵元一

IPC: G11C11/40 ,  G11C11/4063 ,  G11C7/00

CPC classification number: G11C7/065

Abstract: 一种半导体存储器，包括：存储器单元阵列和微分放大和锁存电路，在第一执行时间操作情况下锁存和输出从存储器单元阵列输出的每对信号对，在第二执行时间操作情况下，放大从存储器单元阵列输出的每对信号对的电压差。

公开(公告)号：CN114678050A

公开(公告)日：2022-06-28

申请号：CN202110890301.6

申请日：2021-08-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪昇基 ,  裵元一 ,  郑宪洙

IPC: G11C11/4078 ,  G11C11/406

Abstract: 提供了一种半导体存储器设备和存储器系统。半导体存储器设备包括：指纹读取信号生成器，配置为响应于刷新计数控制信号而生成指纹读取信号；存储器单元阵列，其包括多个子存储器单元阵列块；指纹输出单元，配置为响应于指纹读取信号而接收从存储器单元输出的数据以生成指纹数据，存储器单元连接到在多条字线当中选择的一条字线和在多个子存储器单元阵列块当中的一个子存储器单元阵列块的多条位线当中选择的一条位线；以及伪随机数生成器，配置为响应于激活命令而执行线性反馈移位操作以生成序列数据，响应于指纹读取信号而接收指纹数据并且基于指纹数据来生成序列数据。