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公开(公告)号：CN111952315A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010150059.4
申请日：2020-03-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11568 , H01L27/11582
Abstract: 示例实施例公开了一种垂直存储器件及其制造方法。所述器件可以包括多个栅电极和多个绝缘图案以及穿透第一栅电极和第一绝缘图案的沟道。所述器件可以具有包括从沟道的外侧壁顺序堆叠的隧道绝缘图案、电荷俘获图案和阻挡图案的电荷存储结构。所述器件可以具有被所述隧道绝缘图案和所述电荷俘获图案围绕的掩埋图案结构。所述电荷俘获图案可以包括在水平方向上具有第一厚度的第一垂直部分和在所述水平方向上具有第二厚度的第二垂直部分，并且所述第一厚度可以小于或等于所述第二厚度。
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公开(公告)号：CN110349958B
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN201910216648.5
申请日：2019-03-21
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种三维半导体存储器件，可以包括具有单元阵列区域、外围电路区域以及位于所述单元阵列区域与所述外围电路区域之间的连接区域的衬底。所述存储器件可以包括：从所述单元阵列区域朝向所述连接区域延伸并且包括堆叠在所述衬底上的多个电极的电极结构；位于所述电极结构与所述衬底之间并且包括位于所述单元阵列区域上的第一部分和位于所述连接区域上的第二部分的水平栅极电介质层，所述第二部分在垂直方向上比所述第一部分厚；位于所述单元阵列区域上并且穿透所述电极结构以及所述水平栅极电介质层的所述第一部分的第一垂直沟道结构；以及位于所述连接区域上并且穿透所述电极结构以及所述水平栅极电介质层的所述第二部分的第二垂直沟道结构。
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公开(公告)号：CN112349721A
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN202010573204.X
申请日：2020-06-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11519 , H01L27/11524 , H01L27/11556 , H01L27/11565 , H01L27/1157 , H01L27/11582
Abstract: 一种集成电路装置，包括：多条导电线，其在与衬底的主表面平行的水平方向上延伸，并且在衬底上在与主表面垂直的竖直方向上彼此叠置；多个绝缘层，其各自位于多条导电线中的两条相邻的导电线之间，以在水平方向上延伸；沟道层，其在穿过多条导电线和多个绝缘层的沟道孔中在竖直方向上延伸；以及多个外部阻挡电介质层，其位于多条导电线中的至少一些导电线与沟道层之间，其中，多个外部阻挡电介质层中的每一个在水平方向上的宽度朝向主表面增大。
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公开(公告)号：CN110349958A
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201910216648.5
申请日：2019-03-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11519 , H01L27/11524 , H01L27/11556
Abstract: 提供了一种三维半导体存储器件，可以包括具有单元阵列区域、外围电路区域以及位于所述单元阵列区域与所述外围电路区域之间的连接区域的衬底。所述存储器件可以包括：从所述单元阵列区域朝向所述连接区域延伸并且包括堆叠在所述衬底上的多个电极的电极结构；位于所述电极结构与所述衬底之间并且包括位于所述单元阵列区域上的第一部分和位于所述连接区域上的第二部分的水平栅极电介质层，所述第二部分在垂直方向上比所述第一部分厚；位于所述单元阵列区域上并且穿透所述电极结构以及所述水平栅极电介质层的所述第一部分的第一垂直沟道结构；以及位于所述连接区域上并且穿透所述电极结构以及所述水平栅极电介质层的所述第二部分的第二垂直沟道结构。
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