公开(公告)号：CN103456683B

公开(公告)日：2017-12-19

申请号：CN201310210045.7

申请日：2013-05-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴炳俊 ,  申胜勋

IPC: H01L21/768 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14645 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14689 ,  H01L31/022408 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了形成通孔结构、制造图像传感器和集成电路器件的方法。提供了制造包括通孔结构的集成电路器件的方法。该方法可以包括：形成穿过衬底的隔离槽以形成由隔离槽围绕的内部衬底；以及在隔离槽中以及在衬底的表面上形成绝缘层。该方法还可以包括：形成孔，该孔与隔离槽间隔开并穿过绝缘层的形成于衬底的表面上的部分和内部衬底；以及在孔中和在形成于衬底的表面上的绝缘层上形成导电层。该方法可以用于制造图像传感器。

公开(公告)号：CN109786411A

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201811317620.2

申请日：2018-11-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申胜勋 ,  朴德绪

IPC: H01L27/146

Abstract: 本公开提供了图像传感器。一种图像传感器包括：半导体衬底，包括像素区域和焊盘区域；在像素区域中的多个光电转换区域；在半导体衬底的前表面上的互连结构；焊盘结构，在焊盘区域中并在半导体衬底的后表面上；贯穿通路结构，在焊盘区域中并穿过半导体衬底电连接到互连结构；以及隔离结构，从半导体衬底的后表面至少部分地延伸穿过半导体衬底的焊盘区域。隔离结构在平行于半导体衬底的后表面延伸的平面中围绕焊盘结构和贯穿通路结构。

公开(公告)号：CN109786411B

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN201811317620.2

申请日：2018-11-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申胜勋 ,  朴德绪

IPC: H01L27/146

Abstract: 本公开提供了图像传感器。一种图像传感器包括：半导体衬底，包括像素区域和焊盘区域；在像素区域中的多个光电转换区域；在半导体衬底的前表面上的互连结构；焊盘结构，在焊盘区域中并在半导体衬底的后表面上；贯穿通路结构，在焊盘区域中并穿过半导体衬底电连接到互连结构；以及隔离结构，从半导体衬底的后表面至少部分地延伸穿过半导体衬底的焊盘区域。隔离结构在平行于半导体衬底的后表面延伸的平面中围绕焊盘结构和贯穿通路结构。

公开(公告)号：CN103456683A

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：CN201310210045.7

申请日：2013-05-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴炳俊 ,  申胜勋

IPC: H01L21/768 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14645 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14689 ,  H01L31/022408 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了形成通孔结构、制造图像传感器和集成电路器件的方法。提供了制造包括通孔结构的集成电路器件的方法。该方法可以包括：形成穿过衬底的隔离槽以形成由隔离槽围绕的内部衬底；以及在隔离槽中以及在衬底的表面上形成绝缘层。该方法还可以包括：形成孔，该孔与隔离槽间隔开并穿过绝缘层的形成于衬底的表面上的部分和内部衬底；以及在孔中和在形成于衬底的表面上的绝缘层上形成导电层。该方法可以用于制造图像传感器。