公开(公告)号：CN109786411A

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201811317620.2

申请日：2018-11-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申胜勋 ,  朴德绪

IPC: H01L27/146

Abstract: 本公开提供了图像传感器。一种图像传感器包括：半导体衬底，包括像素区域和焊盘区域；在像素区域中的多个光电转换区域；在半导体衬底的前表面上的互连结构；焊盘结构，在焊盘区域中并在半导体衬底的后表面上；贯穿通路结构，在焊盘区域中并穿过半导体衬底电连接到互连结构；以及隔离结构，从半导体衬底的后表面至少部分地延伸穿过半导体衬底的焊盘区域。隔离结构在平行于半导体衬底的后表面延伸的平面中围绕焊盘结构和贯穿通路结构。

公开(公告)号：CN109786411B

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN201811317620.2

申请日：2018-11-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申胜勋 ,  朴德绪

IPC: H01L27/146

Abstract: 本公开提供了图像传感器。一种图像传感器包括：半导体衬底，包括像素区域和焊盘区域；在像素区域中的多个光电转换区域；在半导体衬底的前表面上的互连结构；焊盘结构，在焊盘区域中并在半导体衬底的后表面上；贯穿通路结构，在焊盘区域中并穿过半导体衬底电连接到互连结构；以及隔离结构，从半导体衬底的后表面至少部分地延伸穿过半导体衬底的焊盘区域。隔离结构在平行于半导体衬底的后表面延伸的平面中围绕焊盘结构和贯穿通路结构。