半导体封装件及其制造方法

    公开(公告)号:CN104576546A

    公开(公告)日:2015-04-29

    申请号:CN201410566487.X

    申请日:2014-10-22

    Inventor: 洪民基

    Abstract: 本发明提供了一种半导体封装件及其制造方法,在该半导体封装件中,单元阵列区和外围电路区分别形成为不同的半导体芯片。包括存储器单元的第一半导体芯片与仅包括由第一半导体芯片共用的外围电路的第二半导体芯片彼此电连接。因此,半导体封装件的负载电容可减小。结果,半导体封装件的RC延迟可减小,从而提高了半导体封装件的操作速度。

    具有叠层封装(PoP)结构的半导体封装件

    公开(公告)号:CN112614820B

    公开(公告)日:2025-01-21

    申请号:CN202010824541.1

    申请日:2020-08-17

    Inventor: 洪民基

    Abstract: 公开了具有叠层封装(PoP)结构的半导体封装件,在叠层封装(PoP)结构中,分开形成信号区域和电力区域。半导体封装件包括下半导体封装件和下半导体封装件上的上半导体封装件。上半导体封装件包括:上封装衬底;存储器芯片,其位于上封装衬底上;导线,其将存储器芯片电连接到上封装衬底;电力连接器,其位于上半导体封装件上;信号连接器,其位于上封装衬底的底表面上;以及上封装模塑材料。

    具有叠层封装(PoP)结构的半导体封装件

    公开(公告)号:CN112614820A

    公开(公告)日:2021-04-06

    申请号:CN202010824541.1

    申请日:2020-08-17

    Inventor: 洪民基

    Abstract: 公开了具有叠层封装(PoP)结构的半导体封装件,在叠层封装(PoP)结构中,分开形成信号区域和电力区域。半导体封装件包括下半导体封装件和下半导体封装件上的上半导体封装件。上半导体封装件包括:上封装衬底;存储器芯片,其位于上封装衬底上;导线,其将存储器芯片电连接到上封装衬底;电力连接器,其位于上半导体封装件上;信号连接器,其位于上封装衬底的底表面上;以及上封装模塑材料。

    半导体封装件及其制造方法

    公开(公告)号:CN104576546B

    公开(公告)日:2020-03-13

    申请号:CN201410566487.X

    申请日:2014-10-22

    Inventor: 洪民基

    Abstract: 本发明提供了一种半导体封装件及其制造方法,在该半导体封装件中,单元阵列区和外围电路区分别形成为不同的半导体芯片。包括存储器单元的第一半导体芯片与仅包括由第一半导体芯片共用的外围电路的第二半导体芯片彼此电连接。因此,半导体封装件的负载电容可减小。结果,半导体封装件的RC延迟可减小,从而提高了半导体封装件的操作速度。

    半导体器件层叠封装件、半导体器件封装件及其制造方法

    公开(公告)号:CN110534506A

    公开(公告)日:2019-12-03

    申请号:CN201910067600.2

    申请日:2019-01-24

    Inventor: 洪民基 李镕官

    Abstract: 半导体器件层叠封装件(PoP)包括:第一封装件;第二封装件;中介层;第一模塑层和第二模塑层。第一封装件包括第一衬底和第一衬底上的第一半导体芯片。第二封装件布置在第一封装件上,并包括第二衬底和第二衬底上的第二半导体芯片。中介层布置在第一封装件和第二封装件之间,并连接第一封装件和第二封装件。第一模塑层填充第一封装件和中介层之间的空间。第二模塑层覆盖中介层的上表面。

Patent Agency Ranking