公开(公告)号：CN113192874A

公开(公告)日：2021-07-30

申请号：CN202011164737.9

申请日：2020-10-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金承玩 ,  梁现锡

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/68 ,  H01L21/67 ,  H01L21/56

Abstract: 提供了用于制造半导体封装件的框架夹具、半导体封装件制造设备和制造半导体封装件的方法。所述框架夹具包括：矩形形状的框架主体，所述框架主体附接到板形状的封装结构，其中，所述框架主体包括聚苯硫醚。

公开(公告)号：CN114496975B

公开(公告)日：2025-05-16

申请号：CN202111184410.2

申请日：2021-10-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑校永 ,  金镇洙 ,  梁现锡 ,  李奇柱 ,  赵浩延 ,  陈翼奎

IPC: H01L23/498 ,  H01L25/16

Abstract: 可以提供一种半导体封装，包括：核心基板；半导体芯片，位于核心基板中并具有芯片焊盘；重分布布线层，覆盖核心基板的下表面并包括电连接到从重分布布线层的外表面露出的芯片焊盘和一对电容器焊盘的重分布布线；导电膏，分别位于电容器焊盘上；以及电容器，经由导电膏安装并且具有分别位于电容器焊盘上的第一和第二外部电极。每个电容器焊盘包括从重分布布线层的外表面露出的焊盘图案并包括至少一个通孔图案，该通孔图案在焊盘图案的下部并且电连接到重分布布线中的至少一个重分布布线。该通孔图案从焊盘图案的中心线偏心一段距离。

公开(公告)号：CN117954427A

公开(公告)日：2024-04-30

申请号：CN202311394836.X

申请日：2023-10-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李奇柱 ,  金镇洙 ,  梁现锡 ,  张柄旭

IPC: H01L23/538 ,  H10B80/00 ,  H01L25/065

Abstract: 提供了一种半导体封装，该半导体封装包括：第一再分布结构，包括第一再分布图案和第一再分布绝缘层，其中第一再分布图案包括在第一再分布绝缘层内在垂直方向上延伸的第一再分布通路；第二再分布结构，在第一再分布结构上并包括第二再分布图案和第二再分布绝缘层，其中第二再分布图案包括在第二再分布绝缘层的下表面处的下再分布焊盘；第一半导体芯片，在第二再分布结构上；以及第二半导体芯片，在第一半导体芯片上。第一再分布绝缘层的上表面与第二再分布绝缘层的下表面接触，第一再分布结构的第一再分布通路与第二再分布结构的下再分布焊盘接触。

公开(公告)号：CN114496975A

公开(公告)日：2022-05-13

申请号：CN202111184410.2

申请日：2021-10-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑校永 ,  金镇洙 ,  梁现锡 ,  李奇柱 ,  赵浩延 ,  陈翼奎

IPC: H01L23/498 ,  H01L25/16

Abstract: 可以提供一种半导体封装，包括：核心基板；半导体芯片，位于核心基板中并具有芯片焊盘；重分布布线层，覆盖核心基板的下表面并包括电连接到从重分布布线层的外表面露出的芯片焊盘和一对电容器焊盘的重分布布线；导电膏，分别位于电容器焊盘上；以及电容器，经由导电膏安装并且具有分别位于电容器焊盘上的第一和第二外部电极。每个电容器焊盘包括从重分布布线层的外表面露出的焊盘图案并包括至少一个通孔图案，该通孔图案在焊盘图案的下部并且电连接到重分布布线中的至少一个重分布布线。该通孔图案从焊盘图案的中心线偏心一段距离。