公开(公告)号：CN101752337A

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200910253079.8

申请日：2009-11-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李泰政 ,  房基仁 ,  朴明圭 ,  严炅恩

IPC: H01L23/482 ,  H01L23/60 ,  H01L23/528 ,  G02F1/13

CPC classification number: H01L24/14 ,  H01L24/06 ,  H01L27/0251 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/14133 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599

Abstract: 本发明提供了半导体集成电路器件及显示装置。一种半导体集成电路器件包括：形成在衬底中的静电放电(ESD)掺杂区；形成在衬底上的凸块；以及第一布线层和第二布线层，形成在凸块之下相同的水平面上。第一布线层和第二布线层彼此分隔开，每个第一布线层和第二布线层的至少一部分与凸块重叠。第一布线层电连接到ESD掺杂区和凸块，第二布线层与凸块绝缘。

公开(公告)号：CN1877834B

公开(公告)日：2010-09-29

申请号：CN200610091601.3

申请日：2006-06-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张东烈 ,  李泰政 ,  金成焕 ,  李受哲

IPC: H01L27/00 ,  H01L23/522 ,  H01L23/552 ,  H01L21/822 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/823871 ,  H01L21/823857 ,  H01L21/823878 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供了一种半导体集成电路器件及其制造方法。所述半导体集成电路器件包括：包括第一掺杂剂的半导体衬底；形成于所述半导体衬底上的第一导电层图案；形成于所述第一导电层图案上的层间介质层；形成于所述层间介质层上的第二导电层图案；以及阻挡照射到半导体衬底的真空紫外线的第一真空紫外线(VUV)阻挡层。

公开(公告)号：CN1877834A

公开(公告)日：2006-12-13

申请号：CN200610091601.3

申请日：2006-06-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张东烈 ,  李泰政 ,  金成焕 ,  李受哲

IPC: H01L27/00 ,  H01L23/522 ,  H01L23/552 ,  H01L21/822 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/823871 ,  H01L21/823857 ,  H01L21/823878 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供了一种半导体集成电路器件及其制造方法。所述半导体集成电路器件包括：包括第一掺杂剂的半导体衬底；形成于所述半导体衬底上的第一导电层图案；形成于所述第一导电层图案上的层间介质层；形成于所述层间介质层上的第二导电层图案；以及阻挡照射到半导体衬底的真空紫外线的第一真空紫外线(VUV)阻挡层。

公开(公告)号：CN101388392A

公开(公告)日：2009-03-18

申请号：CN200810175627.5

申请日：2008-07-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴明圭 ,  金炳善 ,  李泰政 ,  房基仁

IPC: H01L27/04 ,  H01L27/08 ,  H01L23/60 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L27/0814 ,  H01L27/0255

Abstract: 本发明提供一种具有片上型静电放电(ESD)保护电路的半导体器件及其制造方法。该片上型ESD保护电路可以包括在半导体衬底中具有接触第二导电型区域的第一导电型区域的第一结型二极管以及具有布置在半导体衬底的第一导电型区域上且接触该第一导电型区域的金属性材料层的第一肖特基二极管。

公开(公告)号：CN101013701A

公开(公告)日：2007-08-08

申请号：CN200610064394.2

申请日：2006-12-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴根淑 ,  李相培 ,  李受哲 ,  黄晧益 ,  李泰政

IPC: H01L27/115 ,  G11C16/02 ,  G11C16/10 ,  G11C16/26

CPC classification number: H01L27/11558 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521

Abstract: 本发明在一方面提供一种电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)。该EEPROM包括：半导体衬底，包括间隔开的第一、第二和第三有源区；公共浮置栅极，横跨该第一至第三有源区；源/漏区，形成在该浮置栅极相对两侧在该第三有源区中；第一互连，连接到该第一有源区；第二互连，连接到该第二有源区；以及第三互连，连接到该源/漏区的任一个。

公开(公告)号：CN101388392B

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN200810175627.5

申请日：2008-07-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴明圭 ,  金炳善 ,  李泰政 ,  房基仁

IPC: H01L27/04 ,  H01L27/08 ,  H01L23/60 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L27/0814 ,  H01L27/0255

Abstract: 本发明提供一种具有片上型静电放电(ESD)保护电路的半导体器件及其制造方法。该片上型ESD保护电路可以包括在半导体衬底中具有接触第二导电型区域的第一导电型区域的第一结型二极管以及具有布置在半导体衬底的第一导电型区域上且接触该第一导电型区域的金属性材料层的第一肖特基二极管。