公开(公告)号：CN118870816A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202410409231.1

申请日：2024-04-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李泰坤 ,  姜敏圭 ,  金成俊 ,  李雄燮 ,  赵恩锡 ,  崔钟允 ,  黄铉圭

IPC: H10B41/27 ,  H10B41/35 ,  H10B41/50 ,  H10B43/27 ,  H10B43/35 ,  H10B43/50 ,  H10B43/40 ,  H10B41/41 ,  H10B12/00

Abstract: 提供了半导体装置和数据存储系统。半导体装置包括：第一半导体结构，其包括衬底、电路元件和电路互连线；和第二半导体结构，其在第一半导体结构上。第二半导体结构包括：板层；多个栅电极，其在第一方向上彼此间隔开并堆叠在板层上，栅电极包括下选择栅电极、存储器栅电极和上选择栅电极；沟道结构，其穿过下选择栅电极和存储器栅电极并在第一方向上延伸；立柱结构，其穿过上选择栅电极并连接到沟道结构；上栅极电介质层，其围绕立柱结构并在水平方向上凹陷到上选择栅电极中，上栅极电介质层在立柱结构中的每一个的外侧上；和上隔离区域，其在立柱结构之间，穿过上选择栅电极并在第二方向上延伸。立柱结构中的每一个包括上沟道层和上填充绝缘层。

公开(公告)号：CN115915767A

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN202210742445.1

申请日：2022-06-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄盛珉 ,  禹东城 ,  李泰坤 ,  朴凤泰 ,  沈载株 ,  郑泰哲

IPC: H10B41/50 ,  H10B41/27 ,  H10B43/50 ,  H10B43/27

Abstract: 公开了半导体装置和包括半导体装置的电子系统。所述半导体装置可包括：基底，包括单元阵列区域和连接区域，单元阵列区域包括中心区域和外部区域；电极结构，包括电极和垫；垂直结构，在单元阵列区域上并穿透电极结构；以及分离绝缘图案，穿透作为电极中的一个的上电极，并将上电极分成沿与第一方向相交的第二方向布置的至少两个部分。分离绝缘图案包括第一部分和第二部分，第一部分在中心垂直结构中的至少一些之间，第二部分与第一部分间隔开，使得当在平面图中观察时，第二部分在外围垂直结构中的至少一些之间。

公开(公告)号：CN115696918A

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202210868073.7

申请日：2022-07-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄盛珉 ,  姜泰源 ,  禹东城 ,  李泰坤 ,  朴凤泰 ,  沈载株

IPC: H10B12/00

Abstract: 提供一种半导体装置及包括其的数据存储系统，所述半导体装置包括衬底结构、堆叠结构、垂直存储结构、垂直虚设结构和上分隔图案，其中，当在高于所述上分隔图案的最下端的高度水平的第一高度水平的平面上观察时，所述虚设沟道层包括面对所述虚设数据存储层的第一虚设沟道区域和面对所述虚设数据存储层的第二虚设沟道区域，所述第一虚设沟道区域的厚度不同于所述第二虚设沟道区域的厚度。