公开(公告)号：CN113809088A

公开(公告)日：2021-12-17

申请号：CN202110671521.X

申请日：2021-06-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申东玹 ,  姜敏圭 ,  文瑞琳 ,  闵胜基 ,  朴盛珉 ,  李钟旻

IPC: H01L27/11524 ,  H01L27/11529 ,  H01L27/11548 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11575

Abstract: 一种三维半导体存储器装置包括外围电路结构、在外围电路结构上方的单元阵列结构、以及将单元阵列结构连接到外围电路结构的外围接触过孔结构，外围接触过孔结构包括在外围电路结构中的第一贯通区域中的第一外围接触过孔结构和在外围电路结构中的第二贯通区域中的第二外围接触过孔结构，第二贯通区域在外围电路结构上方与第一贯通区域间隔开，并且第二外围接触过孔结构的第二临界尺寸与第一外围接触过孔结构的第一临界尺寸之间的差根据包括在第二贯通区域和第一贯通区域中的材料层被不同地配置。

公开(公告)号：CN118870816A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202410409231.1

申请日：2024-04-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李泰坤 ,  姜敏圭 ,  金成俊 ,  李雄燮 ,  赵恩锡 ,  崔钟允 ,  黄铉圭

IPC: H10B41/27 ,  H10B41/35 ,  H10B41/50 ,  H10B43/27 ,  H10B43/35 ,  H10B43/50 ,  H10B43/40 ,  H10B41/41 ,  H10B12/00

Abstract: 提供了半导体装置和数据存储系统。半导体装置包括：第一半导体结构，其包括衬底、电路元件和电路互连线；和第二半导体结构，其在第一半导体结构上。第二半导体结构包括：板层；多个栅电极，其在第一方向上彼此间隔开并堆叠在板层上，栅电极包括下选择栅电极、存储器栅电极和上选择栅电极；沟道结构，其穿过下选择栅电极和存储器栅电极并在第一方向上延伸；立柱结构，其穿过上选择栅电极并连接到沟道结构；上栅极电介质层，其围绕立柱结构并在水平方向上凹陷到上选择栅电极中，上栅极电介质层在立柱结构中的每一个的外侧上；和上隔离区域，其在立柱结构之间，穿过上选择栅电极并在第二方向上延伸。立柱结构中的每一个包括上沟道层和上填充绝缘层。