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公开(公告)号:CN115696918A
公开(公告)日:2023-02-03
申请号:CN202210868073.7
申请日:2022-07-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00
Abstract: 提供一种半导体装置及包括其的数据存储系统,所述半导体装置包括衬底结构、堆叠结构、垂直存储结构、垂直虚设结构和上分隔图案,其中,当在高于所述上分隔图案的最下端的高度水平的第一高度水平的平面上观察时,所述虚设沟道层包括面对所述虚设数据存储层的第一虚设沟道区域和面对所述虚设数据存储层的第二虚设沟道区域,所述第一虚设沟道区域的厚度不同于所述第二虚设沟道区域的厚度。