公开(公告)号：CN101246901A

公开(公告)日：2008-08-20

申请号：CN200810009910.0

申请日：2008-02-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李孟烈

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/7395 ,  H01L29/402 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/66333

Abstract: 本发明公开了一种半导体晶体管器件及其制造方法。该半导体晶体管器件包括漂移区、绝缘结构、栅极绝缘体、栅电极、源极和漏极。漂移区包括具有第一掺杂剂浓度的第一横向部分和具有第二掺杂剂浓度的第二横向部分，其中，第二掺杂剂浓度高于第一横向部分的第一掺杂剂浓度。绝缘结构形成在漂移区上，并设置在第一横向部分和第二横向部分之间的边界的上方，从而在操作过程中，在漂移区中产生的空穴被最少化。

公开(公告)号：CN1983632A

公开(公告)日：2007-06-20

申请号：CN200610063940.0

申请日：2006-10-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李孟烈

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/36 ,  H01L21/336 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L29/7824 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66681

Abstract: 本发明涉及一种包括半导体衬底的金属氧化物半导体晶体管，所述衬底包括邻近衬底表面的源区和漏区以及源区和漏区之间的漂移区。所述漂移区具有一杂质浓度分布使得所述漂移区的峰值杂质浓度从衬底表面转移。漂移区的峰值杂质浓度可提供在漂移区中的后退区中，该后退区在衬底表面下面且通过预定的距离与之分开。还讨论了相关制造方法。

公开(公告)号：CN100578811C

公开(公告)日：2010-01-06

申请号：CN200610063940.0

申请日：2006-10-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李孟烈

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/36 ,  H01L21/336 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L29/7824 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66681

Abstract: 本发明涉及一种包括半导体衬底的金属氧化物半导体晶体管，所述衬底包括邻近衬底表面的源区和漏区以及源区和漏区之间的漂移区。所述漂移区具有一杂质浓度分布使得所述漂移区的峰值杂质浓度从衬底表面转移。漂移区的峰值杂质浓度可提供在漂移区中的后退区中，该后退区在衬底表面下面且通过预定的距离与之分开。还讨论了相关制造方法。

公开(公告)号：CN100495728C

公开(公告)日：2009-06-03

申请号：CN200510119177.4

申请日：2005-10-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 康美铉 ,  辛和叔 ,  李孟烈

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/42368 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7835

Abstract: 在具有高击穿电压的HV晶体管及其制造方法中，通过氧化一部分衬底使第一绝缘图案形成在半导体衬底上，并且形成第二绝缘图案，使得第一绝缘图案的至少一部分覆盖有第二绝缘图案。通过淀积导电材料到衬底上，在衬底上形成栅电极，栅电极含有第一末端部分和与第一末端部分相对的第二末端部分。第一末端部分形成在第一绝缘图案上，而第二末端部分形成在第二绝缘图案上。通过注入杂质到衬底上，在衬底的表面部分处形成源/漏区。减少了在栅电极的边缘部分处的电场强度，并且HV晶体管具有高击穿电压。

公开(公告)号：CN1828936A

公开(公告)日：2006-09-06

申请号：CN200510119177.4

申请日：2005-10-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 康美铉 ,  辛和叔 ,  李孟烈

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/42368 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7835

Abstract: 在具有高击穿电压的HV晶体管及其制造方法中，通过氧化一部分衬底使第一绝缘图案形成在半导体衬底上，并且形成第二绝缘图案，使得第一绝缘图案的至少一部分覆盖有第二绝缘图案。通过淀积导电材料到衬底上，在衬底上形成栅电极，栅电极含有第一末端部分和与第一末端部分相对的第二末端部分。第一末端部分形成在第一绝缘图案上，而第二末端部分形成在第二绝缘图案上。通过注入杂质到衬底上，在衬底的表面部分处形成源/漏区。减少了在栅电极的边缘部分处的电场强度，并且HV晶体管具有高击穿电压。

公开(公告)号：CN102938412A

公开(公告)日：2013-02-20

申请号：CN201210454375.6

申请日：2008-02-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李孟烈

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/40 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/7395 ,  H01L29/402 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/66333

Abstract: 本发明公开了一种半导体晶体管器件。该半导体晶体管器件包括漂移区、绝缘结构、栅极绝缘体、栅电极、源极和漏极。漂移区包括具有第一掺杂剂浓度的第一横向部分和具有第二掺杂剂浓度的第二横向部分，其中，第二掺杂剂浓度高于第一横向部分的第一掺杂剂浓度。绝缘结构形成在漂移区上，并设置在第一横向部分和第二横向部分之间的边界的上方，从而在操作过程中，在漂移区中产生的空穴被最少化。

公开(公告)号：CN101246901B

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN200810009910.0

申请日：2008-02-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李孟烈

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/7395 ,  H01L29/402 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/66333

Abstract: 本发明公开了一种半导体晶体管器件及其制造方法。该半导体晶体管器件包括漂移区、绝缘结构、栅极绝缘体、栅电极、源极和漏极。漂移区包括具有第一掺杂剂浓度的第一横向部分和具有第二掺杂剂浓度的第二横向部分，其中，第二掺杂剂浓度高于第一横向部分的第一掺杂剂浓度。绝缘结构形成在漂移区上，并设置在第一横向部分和第二横向部分之间的边界的上方，从而在操作过程中，在漂移区中产生的空穴被最少化。

公开(公告)号：CN102593119A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201110427177.6

申请日：2011-12-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李孟烈

IPC: H01L27/02 ,  H01L27/06 ,  H01L21/8249

CPC classification number: H01L27/0623 ,  H01L27/0277 ,  H01L29/063 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/66681 ,  H01L29/732 ,  H01L29/7816

Abstract: 一种半导体器件及其制造方法，半导体器件包括具有第一横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)的输出端口和具有第二LDMOS器件和双极晶体管的静电放电保护器件，该静电放电保护器件用于防止输出端口受到静电放电的损害。第二LDMOS器件的击穿电压等于或低于第一LDMOS器件的击穿电压。

公开(公告)号：CN102593119B

公开(公告)日：2016-03-23

申请号：CN201110427177.6

申请日：2011-12-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李孟烈

IPC: H01L27/02 ,  H01L27/06 ,  H01L21/8249

CPC classification number: H01L27/0623 ,  H01L27/0277 ,  H01L29/063 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/66681 ,  H01L29/732 ,  H01L29/7816

Abstract: 一种半导体器件及其制造方法，半导体器件包括具有第一横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)的输出端口和具有第二LDMOS器件和双极晶体管的静电放电保护器件，该静电放电保护器件用于防止输出端口受到静电放电的损害。第二LDMOS器件的击穿电压等于或低于第一LDMOS器件的击穿电压。

公开(公告)号：CN101339726A

公开(公告)日：2009-01-07

申请号：CN200810127289.8

申请日：2008-07-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金容顿 ,  金正镐 ,  李孟烈 ,  金容灿 ,  李淳学

IPC: G09G3/20 ,  H03K19/0185 ,  H01L27/088 ,  H01L23/522

CPC classification number: G09G3/2965 ,  G09G3/293 ,  G09G3/296 ,  G09G2330/021 ,  G09G2330/028

Abstract: 本发明提供一种寻址驱动器，其包括能量恢复电路和连接到能量恢复电路的输出级。输出级连接到能量恢复电路并且由上拉MOS晶体管和下拉MOS晶体管形成。上拉MOS晶体管的源端连接到能量恢复电路，并且上拉MOS晶体管的体端连接到为上拉MOS晶体管的源端和体端之间提供反向偏压的结点。本发明也提供采用该寻址驱动器的显示装置以及制作寻找驱动器的方法。