公开(公告)号：CN110880486B

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN201910358239.9

申请日：2019-04-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴盛灿 ,  金鋿鉉 ,  金汉 ,  金慧利 ,  姜丞温

IPC: H01L23/373 ,  H01L23/48 ,  H01L23/485

Abstract: 本公开提供一种扇出型半导体封装件，所述扇出型半导体封装件包括：半导体芯片，具有有效表面和与所述有效表面相对的无效表面，所述有效表面上设置有连接焊盘；散热构件，附着到所述半导体芯片的所述无效表面并且具有比所述半导体芯片的厚度大的厚度；包封剂，包封所述半导体芯片和所述散热构件中的每个的至少一部分；以及连接构件，设置在所述半导体芯片的所述有效表面上并且包括电连接到所述连接焊盘的重新分布层，其中，所述散热构件为碳和金属的复合物。

公开(公告)号：CN110880486A

公开(公告)日：2020-03-13

申请号：CN201910358239.9

申请日：2019-04-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴盛灿 ,  金鋿鉉 ,  金汉 ,  金慧利 ,  姜丞温

IPC: H01L23/373 ,  H01L23/48 ,  H01L23/485

Abstract: 本公开提供一种扇出型半导体封装件，所述扇出型半导体封装件包括：半导体芯片，具有有效表面和与所述有效表面相对的无效表面，所述有效表面上设置有连接焊盘；散热构件，附着到所述半导体芯片的所述无效表面并且具有比所述半导体芯片的厚度大的厚度；包封剂，包封所述半导体芯片和所述散热构件中的每个的至少一部分；以及连接构件，设置在所述半导体芯片的所述有效表面上并且包括电连接到所述连接焊盘的重新分布层，其中，所述散热构件为碳和金属的复合物。

公开(公告)号：CN111384009A

公开(公告)日：2020-07-07

申请号：CN201911346125.9

申请日：2019-12-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴盛灿 ,  权鋿铉 ,  金亨奎 ,  金汉 ,  李春根 ,  姜丞温

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/373

Abstract: 本发明提供一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：半导体芯片，具有其上设置有连接垫的有效表面以及与所述有效表面相对的无效表面；散热构件，包括石墨，所述散热构件设置在所述半导体芯片的所述无效表面上；包封剂，密封所述半导体芯片和所述散热构件中的每个的至少一部分；以及连接结构，包括电连接到所述连接垫的重新分布层，设置在所述半导体芯片的所述有效表面上，所述散热构件的至少一个侧表面与所述半导体芯片的侧表面共面。

公开(公告)号：CN110444540B

公开(公告)日：2023-06-30

申请号：CN201910038219.3

申请日：2019-01-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩美子 ,  金汉 ,  朴盛灿

IPC: H01L25/18 ,  H01L23/552 ,  H01L23/482 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明提供一种扇出型半导体封装件，所述扇出型半导体封装件包括：连接构件，包括绝缘层和重新分布层；半导体芯片，设置在所述连接构件上；包封剂，包封所述半导体芯片；以及电磁辐射阻挡层，设置在所述半导体芯片上方并且包括基底层和多孔阻挡部，所述基底层中形成有多个排气孔，所述多孔阻挡部填充在所述多个排气孔中。

公开(公告)号：CN110444540A

公开(公告)日：2019-11-12

申请号：CN201910038219.3

申请日：2019-01-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩美子 ,  金汉 ,  朴盛灿

IPC: H01L25/18 ,  H01L23/552 ,  H01L23/482 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明提供一种扇出型半导体封装件，所述扇出型半导体封装件包括：连接构件，包括绝缘层和重新分布层；半导体芯片，设置在所述连接构件上；包封剂，包封所述半导体芯片；以及电磁辐射阻挡层，设置在所述半导体芯片上方并且包括基底层和多孔阻挡部，所述基底层中形成有多个排气孔，所述多孔阻挡部填充在所述多个排气孔中。