公开(公告)号：CN110444540B

公开(公告)日：2023-06-30

申请号：CN201910038219.3

申请日：2019-01-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩美子 ,  金汉 ,  朴盛灿

IPC: H01L25/18 ,  H01L23/552 ,  H01L23/482 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明提供一种扇出型半导体封装件，所述扇出型半导体封装件包括：连接构件，包括绝缘层和重新分布层；半导体芯片，设置在所述连接构件上；包封剂，包封所述半导体芯片；以及电磁辐射阻挡层，设置在所述半导体芯片上方并且包括基底层和多孔阻挡部，所述基底层中形成有多个排气孔，所述多孔阻挡部填充在所述多个排气孔中。

公开(公告)号：CN110444540A

公开(公告)日：2019-11-12

申请号：CN201910038219.3

申请日：2019-01-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩美子 ,  金汉 ,  朴盛灿

IPC: H01L25/18 ,  H01L23/552 ,  H01L23/482 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明提供一种扇出型半导体封装件，所述扇出型半导体封装件包括：连接构件，包括绝缘层和重新分布层；半导体芯片，设置在所述连接构件上；包封剂，包封所述半导体芯片；以及电磁辐射阻挡层，设置在所述半导体芯片上方并且包括基底层和多孔阻挡部，所述基底层中形成有多个排气孔，所述多孔阻挡部填充在所述多个排气孔中。

公开(公告)号：CN110444514A

公开(公告)日：2019-11-12

申请号：CN201910368806.9

申请日：2019-05-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩美子 ,  朴大贤 ,  李晟焕 ,  李尚锺

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/538 ,  H01L23/552

Abstract: 本公开提供了一种扇出型半导体封装件。所述扇出型半导体封装件包括：连接构件，包括绝缘层和重新分布层；半导体芯片，设置在所述连接构件上；包封剂，包封所述半导体芯片；以及电磁波屏蔽层，设置在所述半导体芯片上，并包括多个排气孔。所述电磁波屏蔽层包括所述排气孔的密度彼此不同的第一区域和第二区域，所述第一区域的所述排气孔的密度高于所述第二区域中的所述排气孔的密度。

公开(公告)号：CN110444514B

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN201910368806.9

申请日：2019-05-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩美子 ,  朴大贤 ,  李晟焕 ,  李尚锺

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/538 ,  H01L23/552

Abstract: 本公开提供了一种扇出型半导体封装件。所述扇出型半导体封装件包括：连接构件，包括绝缘层和重新分布层；半导体芯片，设置在所述连接构件上；包封剂，包封所述半导体芯片；以及电磁波屏蔽层，设置在所述半导体芯片上，并包括多个排气孔。所述电磁波屏蔽层包括所述排气孔的密度彼此不同的第一区域和第二区域，所述第一区域的所述排气孔的密度高于所述第二区域中的所述排气孔的密度。