公开(公告)号：CN108028239A

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201680048590.2

申请日：2016-08-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金暎镐 ,  朴桓必

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/488 ,  H01L23/40 ,  H01L23/373 ,  H01L23/48

CPC classification number: H01L23/367 ,  H01L23/3738 ,  H01L23/40 ,  H01L23/492 ,  H01L24/19 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/73259 ,  H01L2924/15153

Abstract: 提供了一种制造半导体封装结构的方法。所述结构被配置为包括：基底基板；管芯，置于基底基板上，管芯包括半导体器件；焊料凸起，置于管芯的一个表面上以将管芯中产生的热向外部排出；以及焊球，置于管芯的面向所述一个表面的另一表面上，以向外部器件传输由管芯的半导体器件产生的信号。

公开(公告)号：CN114582851A

公开(公告)日：2022-06-03

申请号：CN202111053547.4

申请日：2021-09-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金东暤 ,  金知晃 ,  朴桓必 ,  沈钟辅

IPC: H01L25/16 ,  H01L23/31 ,  H01L23/488 ,  H01L23/367

Abstract: 提供了一种半导体封装，包括：下封装，所述下封装包括下基板和下半导体芯片；中介层基板，在所述下封装上并且具有穿透所述中介层基板的多个孔；热辐射结构，所述热辐射结构包括所述中介层基板的顶表面上的支撑部和所述中介层基板的孔中的多个突出部；以及导热层，在所述下半导体芯片和所述热辐射结构的突出部之间。

公开(公告)号：CN114551420A

公开(公告)日：2022-05-27

申请号：CN202111307675.7

申请日：2021-11-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金东暤 ,  金知晃 ,  朴桓必 ,  沈钟辅

IPC: H01L25/16 ,  H01L23/552 ,  H01L23/48 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60

Abstract: 提供了半导体封装件及其制造方法。所述半导体封装件包括：第一基板，所述第一基板包括第一绝缘层、位于所述第一绝缘层中的接地图案以及第一导电图案；第一半导体芯片，所述第一半导体芯片布设在所述第一基板的上表面上；球阵列结构，所述球阵列结构沿着所述第一半导体芯片的周边布设在所述第一基板的所述上表面上，并且电连接到所述接地图案；和屏蔽结构，所述屏蔽结构布设在所述第一半导体芯片的所述上表面上，并且与所述球阵列结构的所述上表面接触。所述球阵列结构具有闭环形状，并且包括焊料球部分和连接相邻的所述焊料球部分的连接部分。所述焊料球部分的最大宽度大于所述连接部分在与所述连接部分的延伸方向垂直的方向上的宽度。

公开(公告)号：CN115295522A

公开(公告)日：2022-11-04

申请号：CN202210400948.0

申请日：2022-04-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李姃炫 ,  金东旭 ,  朴桓必 ,  沈钟辅

IPC: H01L23/498

Abstract: 一种半导体封装，包括：第一衬底；所述第一衬底上的第一半导体器件；第一模塑层，覆盖所述第一半导体器件；所述第一模塑层上的第二衬底；支撑焊球，介于所述第一衬底与所述第二衬底之间，并且与所述第一衬底或所述第二衬底电学断开，其中，所述支撑焊球包括核并靠近所述第一半导体器件的第一侧壁设置；以及衬底连接焊球，被设置在所述第一半导体器件的所述第一侧壁与所述支撑焊球之间，以将所述第一衬底电连接到所述第二衬底，其中，所述第一半导体器件的顶表面具有距离所述第一衬底的顶表面的第一高度，并且所述核具有等于或大于所述第一高度的第二高度。

公开(公告)号：CN113937069A

公开(公告)日：2022-01-14

申请号：CN202110344148.7

申请日：2021-03-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴桓必 ,  金东暤

IPC: H01L23/24 ,  H01L23/482 ,  H01L23/485 ,  H01L23/498 ,  H01L25/18 ,  H01L21/50 ,  H01L21/54

Abstract: 本公开公开了一种半导体封装，包括：第一布线结构；半导体芯片，被设置在第一布线结构上；第二布线结构，被设置在半导体芯片上并且包括腔体；以及填充构件，在第一布线结构和第二布线结构之间并且在腔体中，其中填充构件的最上端和第二布线结构的最上端位于相同的高度水平处。

公开(公告)号：CN108028239B

公开(公告)日：2021-08-13

申请号：CN201680048590.2

申请日：2016-08-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金暎镐 ,  朴桓必

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/488 ,  H01L23/40 ,  H01L23/373 ,  H01L23/48

Abstract: 提供了一种制造半导体封装结构的方法。所述结构被配置为包括：基底基板；管芯，置于基底基板上，管芯包括半导体器件；焊料凸起，置于管芯的一个表面上以将管芯中产生的热向外部排出；以及焊球，置于管芯的面向所述一个表面的另一表面上，以向外部器件传输由管芯的半导体器件产生的信号。

公开(公告)号：CN112117262A

公开(公告)日：2020-12-22

申请号：CN202010565667.1

申请日：2020-06-19

Applicant: 三星电子株式会社 ,  汉阳大学校产学协力团

Inventor： 金暎镐 ,  朴桓必 ,  金晟彻 ,  安基元

IPC: H01L23/552 ,  H01L23/66 ,  H01L23/31 ,  H01Q1/22

Abstract: 一种半导体封装件包括：衬底；半导体芯片，其设置在衬底的第一表面上；焊料凸块，其设置在半导体芯片的第一表面与衬底之间；以及再分布层，其设置在半导体芯片的与第一表面相对的第二表面上。衬底包括衬底图案，并且衬底图案覆盖衬底的第二表面。衬底图案覆盖衬底的第二表面的总面积的60％至100％。