公开(公告)号：CN113937069A

公开(公告)日：2022-01-14

申请号：CN202110344148.7

申请日：2021-03-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴桓必 ,  金东暤

IPC: H01L23/24 ,  H01L23/482 ,  H01L23/485 ,  H01L23/498 ,  H01L25/18 ,  H01L21/50 ,  H01L21/54

Abstract: 本公开公开了一种半导体封装，包括：第一布线结构；半导体芯片，被设置在第一布线结构上；第二布线结构，被设置在半导体芯片上并且包括腔体；以及填充构件，在第一布线结构和第二布线结构之间并且在腔体中，其中填充构件的最上端和第二布线结构的最上端位于相同的高度水平处。

公开(公告)号：CN114582851A

公开(公告)日：2022-06-03

申请号：CN202111053547.4

申请日：2021-09-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金东暤 ,  金知晃 ,  朴桓必 ,  沈钟辅

IPC: H01L25/16 ,  H01L23/31 ,  H01L23/488 ,  H01L23/367

Abstract: 提供了一种半导体封装，包括：下封装，所述下封装包括下基板和下半导体芯片；中介层基板，在所述下封装上并且具有穿透所述中介层基板的多个孔；热辐射结构，所述热辐射结构包括所述中介层基板的顶表面上的支撑部和所述中介层基板的孔中的多个突出部；以及导热层，在所述下半导体芯片和所述热辐射结构的突出部之间。

公开(公告)号：CN114551420A

公开(公告)日：2022-05-27

申请号：CN202111307675.7

申请日：2021-11-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金东暤 ,  金知晃 ,  朴桓必 ,  沈钟辅

IPC: H01L25/16 ,  H01L23/552 ,  H01L23/48 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60

Abstract: 提供了半导体封装件及其制造方法。所述半导体封装件包括：第一基板，所述第一基板包括第一绝缘层、位于所述第一绝缘层中的接地图案以及第一导电图案；第一半导体芯片，所述第一半导体芯片布设在所述第一基板的上表面上；球阵列结构，所述球阵列结构沿着所述第一半导体芯片的周边布设在所述第一基板的所述上表面上，并且电连接到所述接地图案；和屏蔽结构，所述屏蔽结构布设在所述第一半导体芯片的所述上表面上，并且与所述球阵列结构的所述上表面接触。所述球阵列结构具有闭环形状，并且包括焊料球部分和连接相邻的所述焊料球部分的连接部分。所述焊料球部分的最大宽度大于所述连接部分在与所述连接部分的延伸方向垂直的方向上的宽度。