存储装置和操作存储装置的方法
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114078556A

    公开(公告)日:2022-02-22

    申请号:CN202110504878.9

    申请日:2021-05-10

    Inventor: 朴志云 崔宰赫

    Abstract: 提供了存储装置和操作存储装置的方法。所述存储装置包括半导体存储器装置和存储控制器。半导体存储器装置基于数据选通信号和数据信号接收写入数据,并且基于数据选通信号和数据信号输出读取数据。存储控制器通过信号线将数据选通信号和数据信号并行地发送到半导体存储器装置。存储控制器包括第一延迟电路,第一延迟电路对数据信号进行延迟,使得信号线上的数据信号的窗口的一些边沿通过彼此不同的第一偏斜偏移被去同步。

    固态驱动器装置
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112542448A

    公开(公告)日:2021-03-23

    申请号:CN202010993222.3

    申请日:2020-09-21

    Inventor: 朴志云 尹材相

    Abstract: 本发明提供一种固态驱动器(SSD)装置,其包括:基板;第一缓冲器芯片,设置在基板上;第二缓冲器芯片,设置在第一缓冲器芯片上;多个第一非易失性存储器芯片,通过引线键合连接到第二缓冲器芯片;控制器,配置为通过第一通道向所述多个第一非易失性存储器芯片发送控制信号;以及第一再分布层,设置在基板中并配置为将第一通道电连接到第一缓冲器芯片,其中第一缓冲器芯片通过倒装芯片键合连接到第一再分布层,第二缓冲器芯片通过第一引线连接到第一再分布层。

    包括具有开放桩的传输线的数据存贮装置及其操作方法

    公开(公告)号:CN107633859A

    公开(公告)日:2018-01-26

    申请号:CN201710585206.9

    申请日:2017-07-18

    Abstract: 提供了包括具有开放桩的传输线的数据存贮装置及其操作方法。数据存贮装置包括:第一印刷电路板(PCB),包括形成在第一PCB的至少一个表面上和/或形成在第一PCB内的主传输线;存储器控制器;多个非易失性存储器器件。存储器控制器设置在第一PCB上。多个非易失性存储器器件设置在第一PCB上。多个非易失性存储器器件通过沟道连接到存储器控制器,并且与存储器控制器交换数据。沟道包括与存储器控制器和非易失性存储器器件的数据焊盘连接的数据传输线。数据传输线包括主传输图案和与主传输图案接触的开放桩。开放桩不与除主传输图案之外的任何其它导体接触。

    具有封装基体基底的电子设备

    公开(公告)号:CN110517713B

    公开(公告)日:2024-11-15

    申请号:CN201910011428.9

    申请日:2019-01-07

    Inventor: 朴志云 李真安

    Abstract: 提供一种能够改善时间裕量的具有封装基体基底的电子设备。所述电子设备包括:基体基底,包括基底基体,所述基底基体包括多个层和位于所述多个层之间的多个布线层;控制器芯片和至少一个存储器半导体芯片,安装在基体基底上;信号线,设置在所述多个布线层中的一个布线层中并使控制器芯片连接到所述至少一个存储器半导体芯片;以及一对开路短截线,设置在另一布线层中,连接到信号线的两端并延伸为以一定间隙彼此面对。

    半导体器件及其制造方法
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116171037A

    公开(公告)日:2023-05-26

    申请号:CN202211111055.0

    申请日:2022-09-13

    Abstract: 公开一种半导体器件,该半导体器件包括:衬底;接触结构,穿透衬底;底电极,在衬底上并连接到接触结构;介电层,覆盖底电极;以及顶电极,在底电极上。介电层将顶电极与底电极分开。接触结构包括下导电图案和在下导电图案上的上导电图案。上导电图案包括第一金属的注入掺杂剂的氮化物。

    具有封装基体基底的电子设备

    公开(公告)号:CN110517713A

    公开(公告)日:2019-11-29

    申请号:CN201910011428.9

    申请日:2019-01-07

    Inventor: 朴志云 李真安

    Abstract: 提供一种能够改善时间裕量的具有封装基体基底的电子设备。所述电子设备包括:基体基底,包括基底基体,所述基底基体包括多个层和位于所述多个层之间的多个布线层;控制器芯片和至少一个存储器半导体芯片,安装在基体基底上;信号线,设置在所述多个布线层中的一个布线层中并使控制器芯片连接到所述至少一个存储器半导体芯片;以及一对开路短截线,设置在另一布线层中,连接到信号线的两端并延伸为以一定间隙彼此面对。

    制造半导体器件的方法
    9.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111009490B

    公开(公告)日:2024-03-29

    申请号:CN201910383561.7

    申请日:2019-05-09

    Abstract: 本发明提供一种制造半导体器件的方法,该方法包括:在基板上形成三维(3D)结构;形成吸附控制层以覆盖3D结构的上部分;以及在吸附控制层上和在3D结构的没有被吸附控制层覆盖的下部分上形成材料层,其中在吸附控制层上的材料层的最小厚度小于在3D结构的下部分上的材料层的最大厚度。

    存储器系统及其操作方法以及使用存储器系统的存储装置

    公开(公告)号:CN114078557A

    公开(公告)日:2022-02-22

    申请号:CN202110590653.X

    申请日:2021-05-28

    Inventor: 朴志云

    Abstract: 公开了一种存储器系统及其操作方法以及使用存储器系统的存储装置。所述存储器系统包括存储器控制器和M个存储器芯片。存储器控制器生成具有彼此不同的2M个电压电平之一的第一数据信号,并且通过第一通道输出第一数据信号,其中,M是大于或等于二的自然数。第一数据信号表示包括M个位的第一数据。M个存储器芯片通过第一通道共同连接到存储器控制器。当M个存储器芯片具有启用状态时,M个存储器芯片同时从存储器控制器接收通过第一通道发送的第一数据信号,并且基于第一数据信号同时获得包括在第一数据中的M个位。M个存储器芯片中的每个获得M个位中的相应一个,并且基于M个位中的相应一个进行操作。

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