公开(公告)号：CN101609814A

公开(公告)日：2009-12-23

申请号：CN200910145884.9

申请日：2009-06-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴尚容 ,  沈载煌 ,  李宁浩 ,  朴载宽 ,  文庆烈

IPC: H01L21/8232 ,  H01L21/8247 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/528 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/823456 ,  H01L27/115 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及存储系统的形成方法。在半导体器件的形成方法中，特征层设置在衬底上，掩模层设置在特征层上。去除掩模层在半导体器件的第一区中的部分并保留在半导体器件的第二区中的掩模层，其中在第一区要设置特征层的精细特征，在第二区要设置特征层的宽特征。在第一区中的特征层上及第二区中的掩模层上设置模制掩模图案。设置间隔体层在第一区及第二区中的模制掩模图案上。实施刻蚀工艺以刻蚀间隔体层从而在模制掩模图案的图案特征的侧壁处保留间隔体，及实施刻蚀工艺来刻蚀在第二区中的掩模层以在第二区中设置掩模层图案。利用第二区中的掩模层图案及第一区中的间隔体作为刻蚀掩模来刻蚀特征层。

公开(公告)号：CN101609814B

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：CN200910145884.9

申请日：2009-06-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴尚容 ,  沈载煌 ,  李宁浩 ,  朴载宽 ,  文庆烈

IPC: H01L21/8232 ,  H01L21/8247 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/528 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/823456 ,  H01L27/115 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及存储系统的形成方法。在半导体器件的形成方法中，特征层设置在衬底上，掩模层设置在特征层上。去除掩模层在半导体器件的第一区中的部分并保留在半导体器件的第二区中的掩模层，其中在第一区要设置特征层的精细特征，在第二区要设置特征层的宽特征。在第一区中的特征层上及第二区中的掩模层上设置模制掩模图案。设置间隔体层在第一区及第二区中的模制掩模图案上。实施刻蚀工艺以刻蚀间隔体层从而在模制掩模图案的图案特征的侧壁处保留间隔体，及实施刻蚀工艺来刻蚀在第二区中的掩模层以在第二区中设置掩模层图案。利用第二区中的掩模层图案及第一区中的间隔体作为刻蚀掩模来刻蚀特征层。