公开(公告)号：CN103943568A

公开(公告)日：2014-07-23

申请号：CN201310752006.X

申请日：2013-12-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 车知勋 ,  白在职 ,  尹普彦 ,  尹英相 ,  韩政男

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L29/66628 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/76229 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823878 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7848

Abstract: 本公开提供了一种利用对隔离层的氮化来制造半导体器件的方法，该方法包括提供针对包括有源区和隔离区的暴露出的顶表面进行的等离子体氮化。可以使所述包括有源区和隔离区的暴露出的顶表面受到刻蚀，从而在所述有源区内形成一个比形成在所述隔离区内的更深的凹槽；并且可以在所述更深的凹槽内生长不合并的外延应力膜。