公开(公告)号：CN100514578C

公开(公告)日：2009-07-15

申请号：CN200510074070.2

申请日：2005-05-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑圣勋 ,  南炳允 ,  池京求

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/66621 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823437 ,  H01L27/10876

Abstract: 形成场效应晶体管的方法包括在其中具有多个沟槽隔离区的半导体衬底上形成第一电绝缘层的步骤，该多个沟槽隔离区在其间限定有源区。然后构图第一电绝缘层，以在其中限定相对有源区延伸的多个第一开口。然后通过用电绝缘栓塞填充该多个第一开口，形成在其中具有多个第二开口的沟槽掩模，然后使用电绝缘栓塞作为刻蚀掩模，刻蚀已构图的第一电绝缘层。然后通过使用沟槽掩模作为刻蚀掩模刻蚀半导体衬底，在有源区形成多个沟槽。然后形成延伸到多个沟槽中的多个绝缘栅电极。

公开(公告)号：CN1190251A

公开(公告)日：1998-08-12

申请号：CN98103727.5

申请日：1998-02-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金铉佑 ,  南炳允 ,  周炳善 ,  刘元钟

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L21/32136 ,  H01L21/28512

Abstract: 本文提出了一种改进作为半导体器件存储节点的铂膜刻蚀倾角的方法。采用该方法,在含有氧气的刻蚀气体刻蚀下,铂膜上含有钛的粘附层转变成TiOx,阻止了进一步刻蚀。在预定温度如120～300℃下,TiOx可以防止腐蚀粘附层掩模。基于以上事实,过刻蚀铂膜可以改善铂膜刻蚀倾角。

公开(公告)号：CN1702845A

公开(公告)日：2005-11-30

申请号：CN200510074070.2

申请日：2005-05-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑圣勋 ,  南炳允 ,  池京求

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/66621 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823437 ,  H01L27/10876

Abstract: 形成场效应晶体管的方法包括在其中具有多个沟槽隔离区的半导体衬底上形成第一电绝缘层的步骤，该多个沟槽隔离区在其间限定有源区。然后构图第一电绝缘层，以在其中限定相对有源区延伸的多个第一开口。然后通过用电绝缘栓塞填充该多个第一开口，形成在其中具有多个第二开口的沟槽掩模，然后使用电绝缘栓塞作为刻蚀掩模，刻蚀已构图的第一电绝缘层。然后通过使用沟槽掩模作为刻蚀掩模刻蚀半导体衬底，在有源区形成多个沟槽。然后形成延伸到多个沟槽中的多个绝缘栅电极。

公开(公告)号：CN1121712C

公开(公告)日：2003-09-17

申请号：CN98103727.5

申请日：1998-02-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金铉佑 ,  南炳允 ,  周炳善 ,  刘元钟

IPC: H01L21/3213 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/32136 ,  H01L21/28512

Abstract: 本文提出了一种改进作为半导体器件存储节点的铂膜刻蚀倾角的方法。采用该方法，在含有氧气的刻蚀气体刻蚀下，铂膜上含有钛的粘附层转变成TiOx，阻止了进一步刻蚀。在预定温度如120～300℃下，TiOx可以阻止腐蚀粘附层掩模。基于以上事实，在刻蚀铂膜后进一步过刻蚀铂膜可以改善铂膜刻蚀倾角。