公开(公告)号：CN1190251A

公开(公告)日：1998-08-12

申请号：CN98103727.5

申请日：1998-02-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金铉佑 ,  南炳允 ,  周炳善 ,  刘元钟

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L21/32136 ,  H01L21/28512

Abstract: 本文提出了一种改进作为半导体器件存储节点的铂膜刻蚀倾角的方法。采用该方法,在含有氧气的刻蚀气体刻蚀下,铂膜上含有钛的粘附层转变成TiOx,阻止了进一步刻蚀。在预定温度如120～300℃下,TiOx可以防止腐蚀粘附层掩模。基于以上事实,过刻蚀铂膜可以改善铂膜刻蚀倾角。

公开(公告)号：CN102736748A

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN201210091269.6

申请日：2012-03-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李定锡 ,  韩荣兰 ,  李相宪 ,  尹仁国 ,  金铉佑

IPC: G06F3/033 ,  G03B15/03

CPC classification number: G06F3/03542 ,  G02F1/133512 ,  G06F3/0321 ,  G06F3/042

Abstract: 使用电子笔在显示器上输入用户命令的方法包括使用电子笔的光源在显示器方向上发射光并利用电子笔的摄像头捕获显示器。该方法包括在所捕获的图像中识别显示器的黑矩阵(BM)图案，并且通过比较所识别的BM图案和预存储的图案来检测光源的光发射到显示器上的位置。

公开(公告)号：CN1121712C

公开(公告)日：2003-09-17

申请号：CN98103727.5

申请日：1998-02-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金铉佑 ,  南炳允 ,  周炳善 ,  刘元钟

IPC: H01L21/3213 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/32136 ,  H01L21/28512

Abstract: 本文提出了一种改进作为半导体器件存储节点的铂膜刻蚀倾角的方法。采用该方法，在含有氧气的刻蚀气体刻蚀下，铂膜上含有钛的粘附层转变成TiOx，阻止了进一步刻蚀。在预定温度如120～300℃下，TiOx可以阻止腐蚀粘附层掩模。基于以上事实，在刻蚀铂膜后进一步过刻蚀铂膜可以改善铂膜刻蚀倾角。

公开(公告)号：CN119768099A

公开(公告)日：2025-04-04

申请号：CN202380062308.6

申请日：2023-12-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李先求 ,  金铉佑 ,  白建佑 ,  李我英 ,  郑柄宪 ,  郑鈗元 ,  郑在植

IPC: A47L9/28 ,  A47L9/32 ,  G16Y40/10

Abstract: 公开了清洁器，所述清洁器包括：清洁器主体，所述清洁器主体包括抽吸马达；控制模块，所述控制模块用于操作所述清洁器，并且能够附接到所述清洁器主体/能够被从所述清洁器主体拆卸，并且所述控制模块包括主处理器，所述主处理器在被安装在所述清洁器主体上时以预定周期的间隔与电池模块通信；和电池模块，当在预设的第一时间段或更长的时间段内没有从所述控制模块接收到通信信号时，所述电池模块识别出所述控制模块与所述清洁器主体分离，并且停止对所述清洁器主体供应电力。