公开(公告)号：CN1121712C

公开(公告)日：2003-09-17

申请号：CN98103727.5

申请日：1998-02-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金铉佑 ,  南炳允 ,  周炳善 ,  刘元钟

IPC: H01L21/3213 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/32136 ,  H01L21/28512

Abstract: 本文提出了一种改进作为半导体器件存储节点的铂膜刻蚀倾角的方法。采用该方法，在含有氧气的刻蚀气体刻蚀下，铂膜上含有钛的粘附层转变成TiOx，阻止了进一步刻蚀。在预定温度如120～300℃下，TiOx可以阻止腐蚀粘附层掩模。基于以上事实，在刻蚀铂膜后进一步过刻蚀铂膜可以改善铂膜刻蚀倾角。

公开(公告)号：CN1190251A

公开(公告)日：1998-08-12

申请号：CN98103727.5

申请日：1998-02-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金铉佑 ,  南炳允 ,  周炳善 ,  刘元钟

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L21/32136 ,  H01L21/28512

Abstract: 本文提出了一种改进作为半导体器件存储节点的铂膜刻蚀倾角的方法。采用该方法,在含有氧气的刻蚀气体刻蚀下,铂膜上含有钛的粘附层转变成TiOx,阻止了进一步刻蚀。在预定温度如120～300℃下,TiOx可以防止腐蚀粘附层掩模。基于以上事实,过刻蚀铂膜可以改善铂膜刻蚀倾角。