公开(公告)号：CN110275389B

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN201811327993.8

申请日：2018-11-08

Applicant: 三星电子株式会社 ,  成均馆大学校产学协力团

Inventor： 朴珍 ,  南象基 ,  韩奎熙 ,  金进玉 ,  朴镇弘 ,  刘光渭

IPC: G03F7/00

Abstract: 一种制造集成电路(IC)器件的方法包括：曝光在衬底的主表面上形成的光致抗蚀剂膜的部分区域以产生酸；以及，使酸在光致抗蚀剂膜的部分区域中扩散。使酸扩散可以包括：使用面向衬底的电极通过填充在光致抗蚀剂膜和电极之间的电场透过层在与衬底的主表面延伸的方向垂直的方向上对光致抗蚀剂膜施加电场。电场透过层可以包括含离子层或导电聚合物层。

公开(公告)号：CN110275389A

公开(公告)日：2019-09-24

申请号：CN201811327993.8

申请日：2018-11-08

Applicant: 三星电子株式会社 ,  成均馆大学校 ,  产学协力团

Inventor： 朴珍 ,  南象基 ,  韩奎熙 ,  金进玉 ,  朴镇弘 ,  刘光渭

IPC: G03F7/00

Abstract: 一种制造集成电路(IC)器件的方法包括：曝光在衬底的主表面上形成的光致抗蚀剂膜的部分区域以产生酸；以及，使酸在光致抗蚀剂膜的部分区域中扩散。使酸扩散可以包括：使用面向衬底的电极通过填充在光致抗蚀剂膜和电极之间的电场透过层在与衬底的主表面延伸的方向垂直的方向上对光致抗蚀剂膜施加电场。电场透过层可以包括含离子层或导电聚合物层。

公开(公告)号：CN118946143A

公开(公告)日：2024-11-12

申请号：CN202410583160.7

申请日：2024-05-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金英宇 ,  郑周妍 ,  金柄宅 ,  刘光渭

IPC: H10B12/00

Abstract: 一种半导体器件包括：栅电极结构，包括在垂直于衬底的上表面的第一方向上间隔开的栅电极，每个栅电极在平行于衬底的上表面的第二方向上延伸；存储沟道结构；以及支撑图案阵列，包括在第二方向和与第二方向交叉的第三方向上间隔开的支撑图案，其中，每个支撑图案具有包括三个顶点和三条边的形状，以及其中，第一支撑图案的最靠近第二支撑图案的第一顶点和第二支撑图案的最靠近第一支撑图案的第一顶点在第三方向上不对准，而是在第二方向上具有不同的位置。