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公开(公告)号：CN118946143A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202410583160.7
申请日：2024-05-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00
Abstract: 一种半导体器件包括：栅电极结构，包括在垂直于衬底的上表面的第一方向上间隔开的栅电极，每个栅电极在平行于衬底的上表面的第二方向上延伸；存储沟道结构；以及支撑图案阵列，包括在第二方向和与第二方向交叉的第三方向上间隔开的支撑图案，其中，每个支撑图案具有包括三个顶点和三条边的形状，以及其中，第一支撑图案的最靠近第二支撑图案的第一顶点和第二支撑图案的最靠近第一支撑图案的第一顶点在第三方向上不对准，而是在第二方向上具有不同的位置。
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