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公开(公告)号：CN119847812A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202410566346.1
申请日：2024-05-09
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了存储装置和操作存储装置的方法。存储装置包括：非易失性存储器装置；以及控制器，其被配置为：从非易失性存储器装置接收第一数据；对第一数据执行第一错误校正解码，以获得第二数据；基于关于第一错误校正解码的信息来控制第二错误校正解码的错误校正能力和错误检测能力；以及，基于错误校正能力和错误检测能力对第二数据执行第二错误校正解码，以获得第三数据。
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公开(公告)号：CN113053441B
公开(公告)日：2025-01-17
申请号：CN202011410313.6
申请日：2020-12-04
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了存储装置和存储装置的操作方法。一种存储装置包括非易失性存储器装置和存储器控制器。存储器控制器基于第一读取命令从非易失性存储器装置接收第一数据，并且对第一数据执行错误校正。当错误校正失败时，存储器控制器将第二读取命令和第二读取电压信息发送至非易失性存储器装置，从非易失性存储器装置接收第二数据，将第三读取命令和第三读取电压信息发送至非易失性存储器装置，以及从非易失性存储器装置接收第三数据。存储器控制器基于第二数据和第三数据调整偏移，将第四读取命令、第四读取电压信息和偏移发送至非易失性存储器装置，从非易失性存储器装置接收第四数据，以及基于第四数据执行软判决处理。
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公开(公告)号：CN113053441A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202011410313.6
申请日：2020-12-04
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了存储装置和存储装置的操作方法。一种存储装置包括非易失性存储器装置和存储器控制器。存储器控制器基于第一读取命令从非易失性存储器装置接收第一数据，并且对第一数据执行错误校正。当错误校正失败时，存储器控制器将第二读取命令和第二读取电压信息发送至非易失性存储器装置，从非易失性存储器装置接收第二数据，将第三读取命令和第三读取电压信息发送至非易失性存储器装置，以及从非易失性存储器装置接收第三数据。存储器控制器基于第二数据和第三数据调整偏移，将第四读取命令、第四读取电压信息和偏移发送至非易失性存储器装置，从非易失性存储器装置接收第四数据，以及基于第四数据执行软判决处理。
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