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公开(公告)号：CN113051098A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202011260929.X
申请日：2020-11-12
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 根据一种使用机器学习来控制非易失性存储器设备的操作的方法，通过使用机器学习模型执行推断操作来确定非易失性存储器设备的操作条件。收集基于特征信息和错误信息生成的训练数据，其中错误信息指示非易失性存储器设备的错误校正码(ECC)解码的结果。通过基于训练数据执行学习操作来更新机器学习模型。通过在存储系统中收集训练数据并基于训练数据执行学习操作和推断操作来提供针对各个用户环境的最优操作条件。
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公开(公告)号：CN113053441B
公开(公告)日：2025-01-17
申请号：CN202011410313.6
申请日：2020-12-04
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了存储装置和存储装置的操作方法。一种存储装置包括非易失性存储器装置和存储器控制器。存储器控制器基于第一读取命令从非易失性存储器装置接收第一数据，并且对第一数据执行错误校正。当错误校正失败时，存储器控制器将第二读取命令和第二读取电压信息发送至非易失性存储器装置，从非易失性存储器装置接收第二数据，将第三读取命令和第三读取电压信息发送至非易失性存储器装置，以及从非易失性存储器装置接收第三数据。存储器控制器基于第二数据和第三数据调整偏移，将第四读取命令、第四读取电压信息和偏移发送至非易失性存储器装置，从非易失性存储器装置接收第四数据，以及基于第四数据执行软判决处理。
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公开(公告)号：CN113053441A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202011410313.6
申请日：2020-12-04
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了存储装置和存储装置的操作方法。一种存储装置包括非易失性存储器装置和存储器控制器。存储器控制器基于第一读取命令从非易失性存储器装置接收第一数据，并且对第一数据执行错误校正。当错误校正失败时，存储器控制器将第二读取命令和第二读取电压信息发送至非易失性存储器装置，从非易失性存储器装置接收第二数据，将第三读取命令和第三读取电压信息发送至非易失性存储器装置，以及从非易失性存储器装置接收第三数据。存储器控制器基于第二数据和第三数据调整偏移，将第四读取命令、第四读取电压信息和偏移发送至非易失性存储器装置，从非易失性存储器装置接收第四数据，以及基于第四数据执行软判决处理。
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公开(公告)号：CN112395128A
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：CN202010790981.X
申请日：2020-08-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种存储器控制器的操作方法。该操作方法包括：接收第一读取数据和第二转换信息，第二转换信息包括通过基于线性运算转换第二读取数据而获得的数据，并且第一读取数据和所述第二读取数据包括从相同存储器单元读取的数据；基于线性运算转换第一读取数据以生成第一转换信息；对第一转换信息和第二转换信息执行逻辑运算以生成运算信息；对运算信息执行线性运算的逆运算以生成可靠性信息；以及基于第一读取数据和可靠性信息，纠正第一读取数据的错误。
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