公开(公告)号：CN100530656C

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：CN200510116551.5

申请日：2005-08-04

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 韩公钦 ,  南孝润 ,  任普托

IPC分类号： H01L27/105 ,  H01L27/108 ,  H01L27/11 ,  H01L21/8239 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/8244 ,  G11C11/412 ,  G11C11/413 ,  G11C7/00

摘要： 本发明公开了一种半导体器件和用于布置和制造其的方法。该半导体器件包括多个反相器，其包括至少一个第一上拉晶体管和第一下拉晶体管并分别转换和输出输入信号；和多个NAND门，其包括至少两个第二上拉晶体管和第二下拉晶体管和如果至少两个输入信号的至少一个具有低电平就分别产生具有高电平的输出信号，其中至少一个第一上拉晶体管和第一下拉晶体管和至少两个第二上拉晶体管和第二下拉晶体管堆叠和布置在至少两层上。

公开(公告)号：CN1825591A

公开(公告)日：2006-08-30

申请号：CN200610005014.8

申请日：2006-01-18

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 任普托 ,  金秀连 ,  孙钟弼 ,  韩公钦

IPC分类号： H01L27/105 ,  H01L27/108

CPC分类号： H01L27/0207 ,  H01L27/105 ,  H01L27/10897 ,  H01L27/11898

摘要： 本发明涉及一种半导体存储器件，包括：单元区域，其包括多个单位存储单元；以及外围电路区域，所述外围电路区域包括用于操作所述多个存储单元的多个外围电路器件以及在伪电路图案区域与至少一个外围电路器件相邻地形成的至少一个操作电容器。

公开(公告)号：CN100587956C

公开(公告)日：2010-02-03

申请号：CN200610005014.8

申请日：2006-01-18

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 任普托 ,  金秀连 ,  孙钟弼 ,  韩公钦

IPC分类号： H01L27/105 ,  H01L27/108

CPC分类号： H01L27/0207 ,  H01L27/105 ,  H01L27/10897 ,  H01L27/11898

摘要： 本发明涉及一种半导体存储器件，包括：单元区域，其包括多个单位存储单元；以及外围电路区域，所述外围电路区域包括用于操作所述多个存储单元的多个外围电路器件以及在伪电路图案区域与至少一个外围电路器件相邻地形成的至少一个操作电容器。

公开(公告)号：CN1779979A

公开(公告)日：2006-05-31

申请号：CN200510116551.5

申请日：2005-08-04

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 韩公钦 ,  南孝润 ,  任普托

IPC分类号： H01L27/105 ,  H01L27/108 ,  H01L27/11 ,  H01L21/8239 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/8244 ,  G11C11/412 ,  G11C11/413 ,  G11C7/00

摘要： 本发明公开了一种半导体器件和用于布置和制造其的方法。该半导体器件包括多个反相器，其包括至少一个第一上拉晶体管和第一下拉晶体管并分别转换和输出输入信号；和多个NAND门，其包括至少两个第二上拉晶体管和第二下拉晶体管和如果至少两个输入信号的至少一个具有低电平就分别产生具有高电平的输出信号，其中至少一个第一上拉晶体管和第一下拉晶体管和至少两个第二上拉晶体管和第二下拉晶体管堆叠和布置在至少两层上。